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在Intel2164动态RAM存储器中，对存储器的刷新方法是_______。
A．每次刷新1个单元
B．每次刷新512个单元
C．每次刷新256个单元
D．每次刷新全部单元
参考答案和解析
B
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考题
下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是（ ）。A．RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类B．SRAM的集成度比DRAM高C． DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据无须刷新
考题
下面关于随机存储器的叙述中，正确的是A.静态随机存储器依靠触发器原理存储信息B.静态随机存储器中的内容可以永久保存C.动态随机存储器依靠电容存储信息，需要定时刷新D.动态随机存储器中的内容断电丢失E.动态随机存储器的容量动态变化
考题
下面说法正确的是()。A.ROM不用刷新，但集成度比动态RAM高，但断电后存储的信息消失
B.半导体RAM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆
C.静态RAM和动态RAM都是易失性存储器，断电后存储的信息消失
D.动态RAM属于非易失性存储器，而静态RAM存储的信息断电后信息消失
考题
下列说法正确的是（）。A、半导体RAM信息可读写，且断电后仍能保持记忆。B、半导体存储器属挥发性存储器，而静态RAM是非挥发性的。C、静态RAM、动态RAM都属挥发性存储器，断电后信息将丢失。D、ROM不用刷新，断电后信息将丢失。
考题
以下关于随机访问存储器（RAM）说法错误的是（）A、RAM分为静态RAM和动态RAM两类B、SRAM作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下C、DRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里D、DRAM需要不断刷新
考题
单选题半导体只读存储器（ROM）与半导体随机存储器（RAM）的主要区别在于（）。A
在断电后，ROM中存储的信息不会丢失，RAM信息会丢失B
ROM是内存储器，RAM是外存储器C
断电后，ROM信息会丢失，RAM则不会丢失D
ROM是外存储器.RAM内存储器
考题
单选题以下关于随机访问存储器（RAM）说法错误的是（）A
RAM分为静态RAM和动态RAM两类B
SRAM作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下C
DRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里D
DRAM需要不断刷新
考题
单选题存储器ROM与RAM的主要区别在于（）A
ROM是随机存储器，RAM是只读存储器B
ROM可以永久保存信息，RAM在断电后信息会丢失C
ROM掉电后，信息会丢失，RAM则不会D
ROM是外存储器，RAM是内存储器E
ROM是内存储器，RAM是外存储器
考题
单选题下面关于随机存储器（RAM）的叙述中，正确的是（ ）。A
RAM分静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两大类B
SRAM的集成度比DRAM高C
DRAM的存取速度比SRAM快D
DRAM中存储的数据无须“刷新”
考题
单选题下列有关RAM和ROM的叙述中，正确的是（ ）。Ⅰ．RAM是易失性存储器，ROM是非易失性存储器Ⅱ．RAM和ROM都采用随机存取方式进行信息访问Ⅲ．RAM和ROM都可用作CacheⅣ．RAM和ROM都需要进行刷新A
Ⅰ、ⅡB
Ⅱ、ⅢC
Ⅰ、Ⅱ、ⅣD
Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ
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