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填空题
前后比即天线后向（）的范围内的副瓣电平与前向（）最大波束电平之差。

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考题 前后比是衡量天线后向波束抑制能力的重要指标,该指标与天线增益及类型有关,大约在18~45dB之间。 A．错误B．正确
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考题 采用天线波束下倾技术的主要目的是倾斜主波束以降低朝复用频率区域的辐射电平。 A．错误B．正确
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考题 分支损耗的定义是主路（）电平与分支（）端电平之差。
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考题 分支损耗的定义是主路（）电平与分之输出端电平之差。
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考题 上副瓣抑制是对于（）系统，为了提高频率复用效率，减少对邻区的同频干扰，基站天线波束赋形时应尽可能降低那些瞄准干扰区的副瓣，提高D/U值（有用和无用信号强度之比），上第一副瓣电平应小于-18dB，对于大区制基站天线无这一要求。
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考题 零点填充是指基站天线垂直面内采用赋形波束设计时，为了使业务区内的辐射电平更均匀，下副瓣第一零点需要（），不能有明显的零深。
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考题 方向图中，前后瓣最大电平之比称为前后比。前后比越大，天线定向接收性能就越差。
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考题 增益是指放大器的（）A、输出电平和输入电平之差B、最大输出电平和输入电平之差C、最小输入电平和输出电平之差
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考题 在方向图中，包含所需最大辐射方向的辐射波瓣叫（）。A、副瓣B、天线波束C、边瓣D、后瓣
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考题 前后比只对定向天线有意义。指天线前向最大辐射方向的（）与后向±30度范围内的最大辐射方向的功率密度的比值。
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考题 方向图中，前后瓣最大值之比称为前后比，记为F/B。前后比越大，天线的后向辐射（或接收）（）。
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考题 关于天线的指标描述，下面说法不正确的是（）。A、天线的前后比指标不是天线的主指标，在网规中可以不考虑B、多端口天线，如双极化天线、双频段双极化天线、双频双工双极化天线，收发公用时，端口之间的隔离度应大于40dBC、基站天线垂直面内采用赋形波束设计时，为了使业务区内的辐射电平更均匀，下副瓣第一零点需要填充，不能有明显的零深，对于大区制基站天线无这一要求D、在双极化天线中，通常使用+0°和-90°正交双线极化
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考题 采用天线波束下倾技术的主要目的是倾斜主波束以降低朝复用频率区域的辐射电平。
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考题 前后比是衡量天线后向波束抑制能力的重要指标，该指标与天线增益及类型有关，大约在18～45dB之间。
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考题 基站天线垂直面内采用赋形波束设计时，为了使业务区内的辐射电平更均匀，下副瓣第一零点需要填充，不能有明显的零深。通常零深相对于主波束大于（）即表示天线有零点填充。A、-10dB；B、-15dB；C、-26dB；D、-50dB。
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考题 回波损耗指在天线的接头处的（）与（）的比值。回波损耗反映了天线的匹配特性。前后比指天线前向最大辐射方向的功率密度与后向±30度范围内的最大辐射方向的功率密度的比值。
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考题 前后比即天线后向（）的范围内的副瓣电平与前向（）最大波束电平之差。
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考题 前后抑制比是指天线在主瓣方向与后瓣方向信号辐射强度之比，天线的后向（）度以内的副瓣电平与最大波束之差，用正值表示。
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考题 方向图中，前后瓣最大电平之比称为（）。它大，天线定向接收性能就好。基本半波振子天线的前后比为（）。
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考题 单选题供电电压相同时，CMOS电路与TTL电路输出的高电平与低电平的情况为（）A CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平低B CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平高C CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平低D CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平高
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考题 判断题采用天线波束下倾技术的主要目的是倾斜主波束以降低朝复用频率区域的辐射电平。A 对B 错
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考题 填空题前后抑制比是指天线在主瓣方向与后瓣方向信号辐射强度之比，天线的后向（）度以内的副瓣电平与最大波束之差，用正值表示。
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考题 单选题基站天线垂直面内采用赋形波束设计时，为了使业务区内的辐射电平更均匀，下副瓣第一零点需要填充，不能有明显的零深。通常零深相对于主波束大于（）即表示天线有零点填充。A -10dB；B -15dB；C -26dB；D -50dB。
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考题 填空题方向图中，前后瓣最大电平之比称为（）。它大，天线定向接收性能就好。基本半波振子天线的前后比为（）。
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考题 填空题回波损耗指在天线的接头处的（）与（）的比值。回波损耗反映了天线的匹配特性。前后比指天线前向最大辐射方向的功率密度与后向±30度范围内的最大辐射方向的功率密度的比值。
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