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问答题
预充电虽然在NOR ROM中工作得很好，但它应用到NAND ROM时却会出现某些严重的问题。请解释这是为什么？
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考题
进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是(13)。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作
考题
为了实现逻辑（A XOR B）OR （C AND D），请选用以下逻辑中的一种，并说明为什么？1）INV 2）AND 3）OR 4）NAND 5）NOR 6）XOR 答案：NAND（未知）
考题
进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是______。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作A．B．C．D．
考题
下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是：（）。A.NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B.NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势C.NOR Flash写入和擦除速度较慢D.数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
考题
NANDFLASH和NORFLASH的区别正确的是()
A.NOR的读速度比NAND稍慢一些B.NAND的写入速度比NOR慢很多C.NAND的擦除速度远比NOR的慢D.大多数写入操作需要先进行擦除操作
考题
在嵌入式系统设计中，一般包含多种类型的存储资源，比如ROM、EEPROM、NAND Flash、Nor Flash、DDR、SD卡等。下面关于这些资源的描述中，正确的是______。A.EEPROM是电不可擦除的ROM
B.Nand Flash上面的代码不能直接运行，需要通过加载的过程
C.NOR Flash上面的代码不能直接运行，需要通过加载的过程
D.ROM是用来存储数据的，其上面的数据可以随意更新，任意读取
考题
NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。（）A、NOR的读速度比NAND稍慢一些B、NAND的写入速度比NOR慢很多C、NAND的擦除速度远比NOR的慢D、大多数写入操作需要先进行擦除操作
考题
下面关于ROM、RAM的叙述中，正确的是（）.A、ROM在系统工作时既能读又能写B、ROM芯片掉电后，存放在芯片中的内容会丢失C、RAM是随机存取存储器D、RAM芯片掉电后，存放在芯片中的内容不会丢失
考题
修订的Ashworth痉挛评定量表中Ⅰ+级如何界定？（）A、肌张力严重增高；通过被动ROM检查有困难B、僵直；受累部分被动屈伸时呈现僵硬状态，不能活动C、肌张力较明显增加；通过ROM的大部分时，阻力均较明显的增加，但受累部分仍能较容易的移动D、肌张力轻度增加；被动屈伸时，在ROM后50%范围内突然出现卡住，当继续把ROM检查进行到底时始终有小的阻力E、肌张力轻微增加；受累部分被动屈伸时，ROM之末出现突然的卡住然后释放或出现最小的阻力
考题
NANDFLASH和NORFLASH的区别正确的是（）A、NOR的读速度比NAND稍慢一些B、NAND的写入速度比NOR慢很多C、NAND的擦除速度远比NOR的慢D、大多数写入操作需要先进行擦除操作
考题
下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是（）。A、NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B、NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势C、NOR Flash写入和擦除速度较慢D、数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
考题
单选题NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。（）A
NOR的读速度比NAND稍慢一些B
NAND的写入速度比NOR慢很多C
NAND的擦除速度远比NOR的慢D
大多数写入操作需要先进行擦除操作
考题
单选题根据修订Ashworth痉挛评定量表，Ⅰ+级的肌张力表现为（）A
在ROM末出现最小的阻力B
在ROM后50%突然卡住及最小的阻力C
在ROM的大部分肌张力均增加，能较易地被移动D
严重增高，被动运动困难E
正常
考题
名词解释题ROM
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