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单选题
手提式半导体扩音器电路采用晶体管或（　）。
A

二极管 

B

三极管 

C

多极管 

D

集成电路

参考答案

参考解析
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考题 TTL电路是晶体管£­晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 为了消除间歇振荡器在晶体管突然截止时,变压器线圈原方产生的反冲电压击穿晶体管或产生振荡,常采用()。 A、解耦电路B、阻尼电路C、解调电路
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考题 电子点火实际上就是利用半导体器件作为开关，( )或( )初级电流，因而又称为半导体点火或晶体管点火。
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考题 手提式半导体扩音器电路采用晶体管或()。(A)二极管(B)三极管(C)多极管(D)集成电路
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考题 第三代计算机采用集成电路作为逻辑元件，而其存储器采用( )。A．电子管B．晶体管C．半导体D．大规模集成电路
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考题 手提式半导体扩音器是扩音设备的一种，可用于火场指挥。
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考题 TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。
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考题 微电子技术的核心是（）。A、电子元器件技术B、集成电路技术C、晶体管技术D、半导体技术
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考题 从半导体加工技术方面看，微机上一般多采用（）。A、MOS晶体管B、DOS晶体管C、POS晶体管
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考题 TTL集成电路，（）。A、采用的是金属-半导体-MOS场效应管逻辑B、采用的是晶体管-晶体管逻辑C、电源一般为+5VD、电源一般为-5VE、电源一般为+9V
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考题 下列关于集成电路的叙述中错误的是（）A、集成电路是将大量晶体管、电阻及互连线等制作在尺寸很小的半导体单晶片上B、现代集成电路使用的半导体材料通常是硅或砷化镓C、集成电路根据它所包含的晶体管数目可分为小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模集成电路D、集成电路按用途可分为通用和专用两大类。微处理器和存储器芯片都属于专用集成电路
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考题 微电子技术的典型代表是（）。A、晶体管B、微电脑C、集成电路D、半导体
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考题 微电子技术是研制、生产微小型电子元件及产品技术，它的核心是（）A、晶体管技术B、半导体晶体管技术C、集成电路技术D、电子管技术
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考题 固体半导体摄像元件CCD是一种（）A、PN结光电二极管电路B、PNP型晶体管集成电路C、MOS型晶体管开关集成电路D、NPN型晶体管集成电路
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考题 第三代计算机使用（）作为电路元件A、晶体管B、多晶硅C、半导体D、集成电路
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考题 手提式半导体扩音器电路采用晶体管或（　）。A、照明良好B、携带方便C、不具备火场指挥D、不用音频放大器
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考题 晶体管是在PN接合半导体上，再接合一块P型或N型半导体
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考题 交流晶体管调压器整形放大电路改善波形的措施有（）A、提高晶体管的饱和深度或采用正反馈B、采用正反馈和负反馈C、提高晶体管的饱和深度和放大系数D、提高晶体管的放大倍数或采用负反馈
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考题 在晶体管过压保护器中，影响延时时间的因素包括：（）A、晶体管中采用何种半导体材料；B、延时电路中电容的大小；C、基准电压电路中稳压二极管的功率大小；D、电压比较和触发电路中晶体管的放大倍数。
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考题 单选题微电子技术的典型代表是（）。A 晶体管B 微电脑C 集成电路D 半导体
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考题 单选题（　），主存储器采用半导体，每秒运行超亿次使计算机的应用大型化微型化两级发展。A 电子管B 晶体管C 尤集成电路D 大规模导成电路
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考题 填空题半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。
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考题 单选题手提式半导体扩音器电路采用晶体管或（　）。A 照明良好B 携带方便C 不具备火场指挥D 不用音频放大器
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考题 判断题手提式半导体扩音器是扩音设备的一种，可用于火场指挥。A 对B 错
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考题 单选题第三代计算机使用（）作为电路元件A 晶体管B 多晶硅C 半导体D 集成电路
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考题 单选题为了消除间歇振荡器在晶体管突然截止时，变压器线圈原方产生的反冲电压击穿晶体管或产生振荡，常采用（）。A 解耦电路B 阻尼电路C 解调电路
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