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单选题
免疫记忆可解释为( )。
A
抗原致敏的T细胞及B细胞再次遇到该抗原数量增加
B
产生IL-2的T细胞数量增加
C
产生IgM的B细胞增加
D
主要合成IgG抗体
E
B细胞群的膜免疫球蛋白主要为IgG类
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解析:
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考题
关于免疫记忆的叙述,下列哪一项是错误的A.体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B.Bm是再次应答的主要APCC.免疫应答过程中可产生Tm和BmD.TI-A9和TD-A9均可引起回忆应答E.记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
考题
免疫系统的三大功能为A.免疫防御、免疫应答、免疫记忆B.免疫应答、免疫记忆、免疫监视SX
免疫系统的三大功能为A.免疫防御、免疫应答、免疫记忆B.免疫应答、免疫记忆、免疫监视C.免疫防御、免疫记忆、免疫监视D.免疫防御、免疫自稳、免疫监视E.免疫应答、免疫自稳、免疫监视
考题
关于免疫记忆的叙述,下列哪项是错误的()A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、在免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生
考题
关于免疫记忆的叙述,下列哪一项是错误的()A、体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B、Bm是再次应答的主要APCC、免疫应答过程中可产生Tm和BmD、TI-Ag和TD-Ag均可引起回忆应答E、记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
考题
免疫系统的三大功能为()。A、免疫防御、免疫应答、免疫记忆B、免疫应答、免疫记忆、免疫监视C、免疫防御、免疫记忆、免疫监视D、免疫防御、免疫自稳、免疫监视E、免疫应答、免疫自稳、免疫监视
考题
关于免疫记忆,下列哪项是错误的?()A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次免疫更强的抗体产生
考题
单选题免疫记忆可解释为( )。A
抗原致敏的T细胞及B细胞再次遇到该抗原数量增加B
产生IL-2的T细胞数量增加C
产生IgM的B细胞增加D
主要合成IgG抗体E
B细胞群的膜免疫球蛋白主要为IgG类
考题
单选题关于免疫记忆的叙述,下列哪项是错误的()A
免疫应答过程中可产生Bm、TmB
在免疫应答的分化阶段,小部分细胞分化为记忆细胞,大部分分化为效应细胞C
记忆细胞表达CD45RAD
记忆细胞表面分子表达有改变E
再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生
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