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填空题
P型半导体是在硅晶体中渗入（）形成的，其多数载流子是（）。

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考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
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考题 P型半导体的多数载流子是_________,少数载流子是______。
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考题 在P型半导体中,多数载流子是电子,少数载流子是空穴。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
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考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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考题 本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
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考题 在N型半导体中，（）是多数载流子。A、空穴B、硅C、电子D、锗
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考题 在P型半导体中，（）是多数载流子。A、空穴B、电子C、硅D、锗
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考题 关于N型半导体的下列说法，错误的是：（）A、自由电了是多数载流子B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C、在纯净的硅晶体中三价元素硼，可形成N型半导体D、在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
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考题 在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
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考题 P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
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考题 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。
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考题 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。
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考题 N型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电；P型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电。
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考题 在P型半导体中，（）是少数载流子。A、空穴B、电子C、硅D、锗
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考题 对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
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考题 N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
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考题 由于P型半导体中的多数载流子是空穴，所以P型半导体带正电。（）
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考题 P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）
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考题 N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
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考题 在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。
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考题 在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体。
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考题 填空题P型半导体是在硅晶体中渗入（）形成的，其多数载流子是（）。
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考题 填空题N型半导体是在硅晶片上掺入少量的（）而形成的，其多数载流子是（）。
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考题 单选题关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。A 空穴是多数载流子B 在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C 在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体D 在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
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考题 单选题关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。A 自由电了是多数载流子B 在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C 在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体D 在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
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考题 填空题在硅晶体中掺入少量磷，则形成（）半导体，其少数载流子为（）。
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