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填空题
CsCl型离子晶体负离子属于简单立方,其配位数为(),所占空隙为立方体,所占空隙分数为()。

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考题 ____是指微粒中空隙及微粒间空隙所占容积与微粉容积之比。

考题 空隙中水分的存在形式及储存与岩土空隙的大小与多少密切相关,空隙越大,则( )。A.重力水所占比例越大 B.结合水所占比例越大, C.重力水与结合水所占比例差不多 D.无法比较

考题 因为负离子一般比较大,负离子的堆积是离子晶体结构的主要框架,正离子被看成是填充在负离子堆积形成的空隙中。

考题 骨架—空隙结构粗集料所占比例(),内摩擦角(),但粘聚力较()。

考题 CsCl晶体是由Cs+和Cl-的简单立方交错(重叠1/8)排列而成。

考题 NaCl型离子化合物晶胞中正负离子配位数为6,ZnS型离子化合物晶胞中正负离子配位数为(),CsCl型离子化合物晶胞中正负离子配位数为()

考题 岩土空隙的大小与多少与水分的存在形式及储存密切相关,空隙愈大,则()A、重力水所占比例愈大B、结合水所占比例愈大C、重力水与结合水所占比例差不多D、无法比较

考题 在ABO3(钙钛矿)型结构中,B离子占有()A、四面体空隙B、八面体空隙C、立方体空隙D、三方柱空隙晶体

考题 I型密级配沥青混凝土剩余空隙率为3-6%。

考题 已知Co的原子序数为27,实验测定配离子[Co(en)2Cl2]的磁距为0,则可知其中心离子采取()杂化,属于()轨型配离子,其中心离子配位数是(),配位原子是()。

考题 单选题离子晶体中,由于离子的极化作用,通常使正负离子间的距离(),离子配位数()。A 增大,降低B 减小,降低C 减小,增大D 增大,增大

考题 单选题在ABO3(钙钛矿)型结构中,B离子占有()A 四面体空隙B 八面体空隙C 立方体空隙D 三方柱空隙晶体

考题 填空题对简立方晶体结构,立方体边长为a,其最近邻的原子数为(),最近邻原子的间距为()。次近邻的原子数为(),次近邻原子的间距为()。

考题 单选题岩土空隙的大小与多少与水分的存在形式及储存密切相关,空隙愈大,则()A 重力水所占比例愈大B 结合水所占比例愈大C 重力水与结合水所占比例差不多D 无法比较

考题 填空题以NaCl晶胞中(001)面心的一个球(Cl-离子)为例,属于这个球的八面体空隙数为(),所以属于这个球的四面体空隙数为()。

考题 单选题根据鲍林(Pauling)规则,离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时,一价阴离子的配位数为()。A 2B 4C 6D 8

考题 问答题CsCl晶体结构中,Cs+为立方体配位,此结构中Cl-是作最紧密堆积吗?

考题 单选题等径球以立方体堆积时,其空隙率为()。A 47.64%B 39.54%C 25.95%

考题 填空题NaCl型离子晶体负离子属于立方最紧密堆积,其配位数为(),所占空隙为正八面体,所占空隙分数为()。

考题 单选题在离子晶体中,当正负离子半径比值在0.732~1.0的范围内时,形成()A 简单立方配位B 面心立方配位C 简单立方或面心立方配位

考题 单选题在离子晶体中,当正负离子半径比值在0.225~0.414的范围内时,形成()A 四面体配位B 八面体配位C 平面三角形配位D 立方体配位

考题 填空题NaCl晶胞中Cl-离子作()最紧密堆积,Na+填充()面体空隙的100%,以(001)面心的一个球(Cl-离子)为例,属于这个球的八面体空隙数为(),所以属于这个球的四面体空隙数为(),正负离子配位数为(),配位多面体之间共()连接,单个晶胞占有正负离子的数目为()。

考题 填空题()是指微粒中空隙及微粒间空隙所占容积与微粉容积之比。

考题 单选题CsCl单位晶胞中的“分子数”为1,Cs+填充在Cl-所构成的()空隙中。A 全部四面体B 全部八面体C 全部立方体D 1/2八面体

考题 填空题MgO具有()型结构,其对称型(),空间群(),属于()晶族和()晶系,正负离子配位数为(),单个晶胞占有正负离子的数目为()。

考题 判断题I型密级配沥青混凝土剩余空隙率为3-6%。A 对B 错

考题 单选题下列因素对离子晶体晶格能产生影响最大的是(  )。A 正、负离子的半径比B 正、负离子所带的电荷C 晶体类型D 正、负离子的配位数