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单选题
在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。
A

0.1～0.2V／0.3V

B

0.2～0.3V／0.7V

C

0.3～0.5V／0.7V

D

0.5V／0.7V

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考题 常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
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考题 晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
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考题 硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
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考题 在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
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考题 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。A、0B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降
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考题 二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
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考题 在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
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考题 普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
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考题 锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
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考题 二极管在正向电压作用下处于（）状态。如果不计二极管的正向压降，它相当于开关处于（）状态。
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考题 单选题在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。A 0.1～0.2V／0.3VB 0.2～0.3V／0.7VC 0.3～0.5V／0.7VD 0.5V／0.7V
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考题 问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
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考题 单选题在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。A 0.1V／0.5VB 0.2V／0.5VC 0.5V／0.7VD 0.5V／1.0V
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考题 填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
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考题 填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
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考题 填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。
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