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电力晶体管也称为GTR,与普通的双极结型晶体管相比,耐压低但电流大。


参考答案和解析
错误
更多 “电力晶体管也称为GTR,与普通的双极结型晶体管相比,耐压低但电流大。” 相关考题
考题 双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。() 此题为判断题(对,错)。

考题 ( )的英文缩写是GTR。 A、电力二极管B、门极可关断晶闸管C、电力晶体管D、电力场效应晶体管

考题 电力晶体管GTR属于( )控制型元件。A.电流B.电压C.电阻D.频率

考题 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号(即驱动信号)为()。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制,场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制,场效应管为电压控制

考题 已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力()晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等

考题 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压

考题 电力晶体管GTR有()个PN结。A、1B、2C、3D、4

考题 电力晶体管(GTR)是一咱比极型大功率反压晶体管,GTR在应用中应特别注意()。

考题 电力晶体管(GTR)有哪些特点?

考题 绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极(),以()复合而成。

考题 普通双极型晶体管是由()。A、一个PN结组成B、二个PN结组成C、三个PN结组成

考题 电力晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止

考题 GTR是一种()晶体管.A、双极型B、单极型C、混合型D、三极型

考题 双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。

考题 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

考题 绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。

考题 具有锁定效应的电力电子器件是()。A、电力晶体管B、晶闸管C、可关断晶闸管D、绝缘栅双极型晶体管

考题 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号()。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制,场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制,场效应晶体管为电压控制

考题 单选题GTR是一种()晶体管.A 双极型B 单极型C 混合型D 三极型

考题 填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极,以以电力晶体管()和发射极作为发射极与集电极复合而成。

考题 填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

考题 判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。A 对B 错

考题 单选题电力晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()。A 一次击穿B 二次击穿C 临界饱和D 反向截止

考题 判断题绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。A 对B 错

考题 填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极,以以电力晶体管集电极和()作为发射极与集电极复合而成。

考题 判断题双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。A 对B 错

考题 填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极(),以()复合而成。

考题 单选题()的英文缩写是GTR。A 电力二极管B 门极可关断晶闸管C 电力晶体管D 电力场效应晶体管