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12、功率场效应晶体管(功率MOSFET)作为一种单极型电力电子器件,工作效率高,无二次击穿,但其容量可关断晶闸管和大功率晶体管等双极型电力电子器件。


参考答案和解析
驱动功率小;控制电路简单;工作效率高的特点
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考题 按照电力电子器件内部自由电子和空穴两种载流子参与导电的情况,可将电力电子器件分为( )。A、简单型器件B、单极型器件C、双极型器件D、复合型器件

考题 下列电力电子器件中,()的驱动功率小,驱动电路简单。A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场控晶体管

考题 已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力()晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等

考题 下列器件中,()属于不可控制电力电子器件。A、肖特基二极管B、晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应管

考题 快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是()。A、功率晶体管B、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管

考题 下述电力电子器件中,不能用控制信号控制其导通和关断的是()A、功率二极管B、功率晶体管C、IGBTD、门极关断晶闸管

考题 以下不属于全控型电力电子器件的是()A、可关断晶闸管

考题 可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是()。A、功率晶体管GTRB、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管

考题 常用的电力电子器件有:()。A、双极晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力MOS场效应管D、门极关断晶闸管E、场控晶闸管

考题 电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿

考题 下列哪项不属于典型全控型器件?()A、电力二极管B、门极可关断晶闸管C、电力晶体管D、电力场效应晶体管

考题 请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

考题 电力电子器件GTR为()器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型

考题 请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

考题 可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是()。A、功率晶体管(GTR)B、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管

考题 电力电子器件P-MOSFET为()器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型

考题 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

考题 具有锁定效应的电力电子器件是()。A、电力晶体管B、晶闸管C、可关断晶闸管D、绝缘栅双极型晶体管

考题 单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A 有二次击穿B 无二次击穿C 防止二次击穿D 无静电击穿

考题 多选题电力电子器件P-MOSFET为()器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型

考题 单选题快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是()。A 功率晶体管B IGBTC 功率MOSFETD 晶闸管

考题 填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

考题 单选题具有锁定效应的电力电子器件是()。A 电力晶体管B 晶闸管C 可关断晶闸管D 绝缘栅双极型晶体管

考题 填空题请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

考题 填空题请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

考题 多选题常用的电力电子器件有:()。A双极晶体管B绝缘栅双极晶体管C电力MOS场效应管D门极关断晶闸管E场控晶闸管

考题 单选题可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是()。A 功率晶体管(GTR)B IGBTC 功率MOSFETD 晶闸管

考题 多选题电力电子器件GTR为()器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型