考题
N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。
A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
考题
加到半导体中的杂质可以分成()种类型,一种杂质加到半导体中去后,在半导体中会产生许多带负电的(),这种半导体叫做()半导体。
考题
由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷，可形成（）A、N型半导体B、P型半导体C、PN结D、导体
考题
N型半导体中多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。
考题
N型半导体中的自由电子多于空穴，而P型半导体中的空穴多于自由电 子，是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？
考题
下列化合物半导体中，属于Ⅱ-Ⅵ型半导体的是（）A、GaAsB、GeSeC、ZnSD、PbSE、CuGaSe2
考题
在纯净的半导体材料中掺入微量五价元素磷，可形成（）。A、N型半导体B、PN结C、P型半导体D、导体
考题
在纯净的半导体材料中掺入微量五价元素磷，可形成N形半导体。（）
考题
N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
考题
N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。
考题
下列不属于本征半导体的是（）A、纯净半导体B、P型半导体C、杂质半导体D、N型半导体
考题
对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
考题
N型半导体的多数载流子是自由电子，因此N型半导体带负电。
考题
由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
考题
要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。
考题
P型半导体和N型半导体中都有载流子，但就半导体器件本身都是（）A、不带电的B、带正点的C、带负电的
考题
N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
考题
问答题N型半导体中的自由电子多于空穴，而P型半导体中的空穴多于自由电 子，是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？
考题
填空题半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。
考题
填空题与块体材料相比，半导体纳米团簇的带隙展宽，展宽量与颗粒尺寸成（）比。
考题
问答题N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
考题
判断题由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。A
对B
错
考题
单选题下列说法正确的是（）。A
N型半导体带负电B
P型半导体带正电C
PN结型半导体为电中性体D
PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生
考题
填空题半导体材料中锗和硅属于（）结构，砷化镓属于（）结构。
考题
问答题直接带隙和间接带隙半导体有哪些区别？并分别给出一个实际的例子。