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晶体管工作在截止区时，PN结偏置为（）。

A．发射结正偏，集电结正偏

B．发射结正偏，集电结反偏

C．发射结反偏，集电结正偏

D．发射结反偏，集电结反偏

参考答案和解析
发射结、集电结均反偏;
更多 “晶体管工作在截止区时，PN结偏置为（）。A．发射结正偏，集电结正偏B．发射结正偏，集电结反偏C．发射结反偏，集电结正偏D．发射结反偏，集电结反偏” 相关考题
考题 就PN结的结电容大小进行比较,正向偏置时比反向偏置时的结电容();就PN结的结电容对性能影响,正向偏置时比反向偏置时的影响()。 A、多B、少C、大D、小
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考题 晶体三极管放大时,它的两个PN结的工作状态为()。 A、均处于正向偏置B、均处于反向偏置C、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置D、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置
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考题 晶体管工作在放大区时,发射结处于()。 A、正向偏置B、反向偏置C、正偏或反偏D、不能确定
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考题 晶体管工作在放大状态的条件是( )。A.发射结反向偏置，集电结反向偏置B.发射结反向偏置，集电结正向偏置C.发射结正向偏置，集电结反向偏置D.发射结正向偏置，集电结正向偏置
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考题 PN结的单向导电性指的是 PN结()偏置时导通,()偏置时截止的特性 。
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考题 当晶体管截止时,它的发射结必须是()偏置或()偏置。
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考题 当晶体管的两个PN结都反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态
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考题 当电源正极接N区，负极接P区时，称为给PN结加反向电压或反向偏置。（）
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考题 当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，即形成了___。当外加电压与内电场的方向相反时，它呈___状态，当外加电压与内电场的方向相同时，它将呈___状态，即___具有单向导电性。A、PN结；导通，截止；PN结B、晶体管；截止，导通；PN结C、晶体管；导通，截止；晶体管D、PN结；截止，导通；晶体管E、晶体管；截止，导通；晶体管
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考题 三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，则此三极管工作在（）。A、截止区B、饱和区C、放大区D、耗散区
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考题 当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（）A、截止区B、放大区C、饱和区
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考题 三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为（）和（）；饱和区，偏置为（）和（）；截止区，偏置为（）和（）。
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考题 晶体管工作在放大区、截止区和饱和区是的两个PN结分别是如何偏执的？理想情况下，工作在截止区是的IC有多大？工作在饱和区时UCE为多大？
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考题 硅稳压管正常工作时，是工作在PN结的（）。A、正向导通区B、死区C、反向截止区D、反向击穿区
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考题 PN结反向偏置时，应该是N区的电位比P区的电位（）。
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考题 晶体管工作在饱和区的条件是（）。A、发射结正向偏置，集电结反向偏置B、发射结反向偏置，集电结正向偏置C、发射结正向偏置，集电结正向偏置D、发射结反向偏置，集电结反向偏置
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考题 PN结具有（）性，（）偏置时导通，（）偏置时截止。
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考题 若晶体管发射结处于正向偏置，则其一定处于截止状态。（）
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考题 晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（）A、截止B、放大C、饱和D、损毁
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考题 PN结正向偏置时，空间电荷区将变（）。
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考题 与反向偏置相比，正向偏置时PN结的宽度（）、（）等效电阻。
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考题 三极管工作在放大状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。若工作在饱和状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。若工作在截止状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。
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考题 PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。
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考题 两个PN结均为正偏时，晶体管工作在饱和状态；两个PN结均为反偏时，晶体管工作在截止状态。
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考题 三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏置是：（）加正向电压，（）加正向电压。
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考题 三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏置是：发射结加正向电压，集电结加正向电压。
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考题 单选题晶体管工作在饱和区的条件是（）。A 发射结正向偏置，集电结反向偏置B 发射结反向偏置，集电结正向偏置C 发射结正向偏置，集电结正向偏置D 发射结反向偏置，集电结反向偏置
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考题 单选题当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（）A 截止区B 放大区C 饱和区
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