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4、关于半导体的说法，错误的是（）。
A．半导体常态下不导电， 掺杂、受热、光照增强导电能力。
B．本征半导体在热激发后会出现大量自由电子和空穴对，参与导电。
C．杂质半导体的导电性能取决于多数载流子。
D．N型半导体的多子是自由电子。
参考答案和解析
本征半导体在热激发后会出现大量自由电子和空穴对，参与导电。
更多 “4、关于半导体的说法，错误的是（）。A．半导体常态下不导电， 掺杂、受热、光照增强导电能力。B．本征半导体在热激发后会出现大量自由电子和空穴对，参与导电。C．杂质半导体的导电性能取决于多数载流子。D．N型半导体的多子是自由电子。” 相关考题
考题
关于半导体测温元件说法正确的是______。A.半导体热敏电阻随温度的升高电阻值上升B.P型和N型半导体材料不能集成在一个热电偶中C.不能制作成接触型D.半导体热敏电阻比金属热敏电阻灵敏度高
考题
下面说法正确的是( ) 。A. 半导体光源是通过电子在能级间的跃迁而发光的;B. 半导体光源是通过电子的受激吸收跃迁而发光的;C. 半导体光源是通过外加反向偏压而发光的;D. 半导体光源是通过外加正向偏压而发光的。
考题
半导体在我们的日常生活中有着广泛应用，下列关于半导体的说法正确的是：A.麦克斯韦首次发现了半导体现象
B.所有半导体材料都属于金属化合物
C.温度升高，半导体的电阻会随之变高
D.LED灯利用半导体将电能转化为光能
考题
关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）A、无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电
考题
关于超导、半导体，下列说法错误的是：（）A、超导技术的关键是在某一温度下，将电阻降为零B、电阻为零的情况下，将没有热能的损耗C、半导体的电阻会随着温度及光强的变化而变化，为此可以制成热敏电阻和光敏电阻等D、铜是一种超导材料
考题
关于N型半导体的下列说法，错误的是：（）A、自由电了是多数载流子B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C、在纯净的硅晶体中三价元素硼，可形成N型半导体D、在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
考题
对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
考题
下列关于BIOS与COMS说法错误的是（）。A、BIOS实际上是被固化到主板ROM芯片的一组程序B、COMS是互补金属氧化物半导体的缩写C、BIOS负责开机时对系统各个硬件进行初始化设置和测试D、COMS系统掉电后其信息会丢失
考题
单选题关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）A
无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B
P型半导体中只有空穴导电C
N型半导体中只有自由电子参与导电D
在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电
考题
单选题关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。A
空穴是多数载流子B
在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C
在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体D
在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
考题
单选题关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。A
自由电了是多数载流子B
在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C
在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体D
在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
考题
单选题关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。A
只存在一种载流子：自由电子B
在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C
在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体D
在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
考题
单选题关于P、N型半导体内参与导电的介质，下列说法最为合适的是（）。A
自由电子、空穴、位于晶格上的离子B
无论P型还是N型半导体，自由电子、空穴都是导电介质C
对于P型半导体，空穴是唯一的导电介质D
对于N型半导体，空穴是唯一的导电介质
考题
单选题关于半导体测温元件说法正确的是（）。A
半导体热敏电阻随温度的升高电阻值上升B
P型和N型半导体材料不能集成在一个热电偶中C
不能制作成接触型D
半导体热敏电阻比金属热敏电阻灵敏度高
考题
单选题下列关于电子产业说法中错误的是（）A
微电子技术以集成电路为核心B
硅是微电子产业中常用的半导体材料C
现代微电子技术已经用砷化镓取代了硅D
制造集成电路都需要使用半导体材料
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