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MOSFET的电容有三部分组成:MOS结构电容、沟道电容,结电容。除MOS结构电容外,其他两个电容都是线性的且随所加电压而变化。


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考题 电容器的结构繁多,按其结构分为:固定电容器、可变电容器和()三种。 A、电解电容器B、存储电容C、整流电容D、微调电容器

考题 集成电路中的电容是用PN结电容,大于100PF的电容也可制造。

考题 电容器所带的电荷量与它的两极板所加电压的比值叫做电容器的(),简称电容。

考题 微波电路中所使用的变容二极管主要特性是()。A、结电容随反向电压线性变化B、结电容随着反向电压向负方向增大而减小C、反向电压变化不影响结电容变化

考题 三相选用电容器时必须注意哪两个参数()A、体积与引脚长短B、放置的具体位置不能受到高温、电磁场的干扰C、电容量和电容器的额定工作电压(耐压)D、组成电容的材料、结构能否符合电路的工作需要。如电解电容不宜用于高频电路

考题 电容式压力测量仪表是以压力变化时能使传感器电容量发生变化为基础而工作的,它具有结构简单、动态性能好、电容相对变化值大、灵敏度高等优点,但由于有分布电容影响,较难实现电容的准确测量,若采用一般结构时,电容输出的非线性较大。

考题 变容二极管是一种利用pn结电容(或接触势垒电容)与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管,其反偏电压愈大,结电容愈大。()

考题 电容器储存一定的电荷时,电容量越大,电容器两端的电压就()。A、越高B、越低C、等于电容器两端所加的电压D、与电容量无关

考题 若电容元件的电量与电压之间为线性关系,则称该电容元件为线性电容元件。

考题 开关电容滤波器包含:()。A、MOS开关B、MOS运放C、电容D、电阻

考题 光敏二极管与MOS电容相比,具有()、()、()、()等优点。

考题 若电容元件的电量与电压之间为线性关系,则称该电容元件为非线性电容元件。

考题 若电容元件的电量与电压之间为()关系,则称该电容元件为线性电容元件。

考题 CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS电容器组成的阵列。

考题 当PN结反向工作时,其结电容主要是()A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存

考题 对电容C=Q/U下列说法正确的是()。A、电容器充电量越大,电容增加越大B、电容器的电容跟它两极所加电压成反比C、电容器的电容越大,所带电量就越多D、对于确定的电容器,它所充的电量跟它两极板间所加电压的比值保持不变

考题 所谓电容型设备指采用电容屏绝缘结构的设备,如()等。A、耦合电容器B、电容型电流互感器C、电容型套管D、电容式电压互感器

考题 平行板电容器的电容量和电容极板间距离的变化是()关系,即为非线性关系;当采用()结构,即取测量电容之差和测量电容之和之比,则平行板电容器的电容量和电容极板间距离的变化变为线性关系。

考题 平行板电容器的电容量和电容极板间距离是倒数关系,即为非线性关系;如果采用差动电容结构,则()和距离的变化成线性关系。A、测量电容之和B、测量电容之差C、测量电容之差与测量电容之和的比D、测量电容之和和测量电容之差之比

考题 名词解释题势垒电容(结电容)

考题 单选题关于两个电容器相串联,下列说法正确的是()。A 两个电容器的电压之和等于电源电压B 每个电容器上的电压值与其电容值成正比C 等效电容为两个电容之和D 总电量Q为两个电容器所带电量之和

考题 问答题MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容?MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容?

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考题 判断题器件电容决定MOS晶体管的动态特性,门电容和源漏结电容是主要的确定因素。A 对B 错

考题 问答题MOS电容的大小取决于哪些参数?

考题 问答题为什么说MOS电容的组成复杂?

考题 单选题一电解电容的标称值是110V,10μF。下列说法正确的是()。A 电容两端加110V的电压时,电容量是10μFB 电容两端允许加电压的最大值是110V,电容量的大小与所加电压无关C 电容两端允许加电压的有效值是110V,电容量的大小与所加电压无关D 电容两端允许加电压的最大值是110V,电容量的大小与所加电压有关

考题 单选题电容器储存一定的电荷时,电容量越大,电容器两端的电压就()。A 越高B 越低C 等于电容器两端所加的电压D 与电容量无关