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5、以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了 在基区中的运动，该载流子做 运动。（）

A．电子，扩散

B．电子，漂移

C．电子，漂移和扩散

D．空穴，漂移

参考答案和解析
C
更多 “5、以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了 在基区中的运动，该载流子做 运动。（）A．电子，扩散B．电子，漂移C．电子，漂移和扩散D．空穴，漂移” 相关考题
考题 IGBT导通时,由P＋注入区向N基区发射少数载流子,从而对漂移区()进行调制,使IGBT具有很强的通流能力。 A、电导率B、降压值C、耐压值D、电热率
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考题 NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
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考题 晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 晶体管具备电流放大的内部条件是()。 A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合
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考题 PN宽度稳定后，（）。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动
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考题 分配噪声就是发射极电流随基区载流子复合数量的变化而变化所引起的噪声。
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考题 PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
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考题 对NPN三极管来说，下列说法正确的是（）。A、当发射极正向偏置时，从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区；B、扩散到基区的电子全被空穴复合掉了；C、外电路不断地向发射区补充电子，以维持多数载流子的浓度差；D、以上说法都错。
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考题 NPN型三极管的基区中多数载流子是电子
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考题 存在于材料表面的带电粒子在电场作用下做定向运动，形成电流，通常称它们为载流子。（）
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考题 关于N型半导体的下列说法，错误的是：（）A、自由电了是多数载流子B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C、在纯净的硅晶体中三价元素硼，可形成N型半导体D、在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
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考题 晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区
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考题 晶体管具备电流放大的内部条件是（）。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合
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考题 叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
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考题 造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应C、基区电导调制效应，基区有偏压效应D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应
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考题 无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和（）。
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考题 三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。
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考题 PN结反偏时，内电场与外电场的方向（），空间电荷区变（），有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。
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考题 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是（）作用下产生的，漂移运动是（）作用下产生的。
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考题 晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。
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考题 单选题关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。A 空穴是多数载流子B 在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C 在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体D 在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
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考题 填空题在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
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考题 单选题关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。A 自由电了是多数载流子B 在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C 在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体D 在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
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考题 单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A 载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B 载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C 载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D 载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
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考题 单选题关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。A 只存在一种载流子：自由电子B 在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C 在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体D 在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
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考题 填空题晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。
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考题 判断题存在于材料表面的带电粒子在电场作用下做定向运动，形成电流，通常称它们为载流子.A 对B 错
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考题 填空题在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。
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