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5、5. 位错密度是衡量晶体中位错的多少、单晶质量的好坏、晶体变形性大小的一个物理量。

参考答案和解析
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考题 只有一个晶粒组成的晶体成为单晶体。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 单晶体是只有一个晶粒组成的晶体。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 金属单晶体的塑性变形方式为（）。 A、滑移B、孪晶C、位错D、A或B
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考题 单晶体的滑移，实际上是位错的移动。
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考题 单晶体的变形方式有（）A、滑移B、孪生C、位错D、位移
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考题 （）是各个晶粒塑性变形的综合结果。A、单晶体变形B、多晶体变形C、滑移D、孪生
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考题 单晶体和多晶体塑型变形的实质是什么？
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考题 多晶体的塑性变形主要是以位错方式进行的，并且是不均匀的。
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考题 金属的塑性变形是通过晶体的（）运动来实现的。A、位错B、位移C、迁移D、定向
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考题 对于金属晶体来说，增加位错密度或降低位错密度都能增加金属的强度。
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考题 单晶体塑性变形的主要方式是滑移。
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考题 单晶体塑性变形中滑移的实质是（）。
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考题 属于晶体缺陷中面缺陷的是（）A、位错B、螺旋位错C、肖特基缺陷D、层错
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考题 单晶体的塑性变形方式是（）和（）。
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考题 单晶是晶体内原子按照不一致的位向排列的。
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考题 位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（）。A、位错不一定是直线B、位错是已滑移区和未滑移区的边界C、位错可以中断于晶体内部D、位错不能中断于晶体内部
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考题 单选题在晶体滑移过程中（）A 由于位错不断移出滑移面，位错密度随形变量的增加而减少B 由于位错的增殖，位错密度随形变量的增加而增高C 由于晶界不断吸收位错，位错密度随形变量的增加而减少D 由于位错的消失（移出滑移面）和增殖的共同作用，位错的密度基本不变
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考题 判断题单晶体是只有一个晶粒组成的晶体A 对B 错
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考题 判断题单晶体具有各向异性，金属多晶体是由许多单晶体构成的，因此具有各项异性。A 对B 错
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考题 判断题只有一个晶粒组成的晶体成为单晶体。A 对B 错
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考题 判断题单晶是晶体内原子按照不一致的位向排列的。A 对B 错
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考题 问答题单晶体和多晶体塑性变形的实质是什么？
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考题 单选题属于晶体缺陷中面缺陷的是（）A 位错B 螺旋位错C 肖特基缺陷D 层错
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考题 填空题单晶体塑性变形中滑移的实质是（）。
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考题 判断题单晶体的塑性变形主要是以滑移的方式进行的。A 对B 错
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考题 判断题单晶体塑性变形的主要方式是滑移。A 对B 错
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考题 判断题单晶体金属的塑性变形只有滑移和孪生两种机理。A 对B 错
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考题 单选题位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（）。A 位错不一定是直线B 位错是已滑移区和未滑移区的边界C 位错可以中断于晶体内部D 位错不能中断于晶体内部
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