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1、下列关于康普顿效应的描述正确的是 [ ]

A.散射光的波长均比入射光的波长短,且随散射角增大而减小,但与散射体的性质无关

B.散射光的波长均与入射光的波长相同,与散射角、散射体性质无关

C.散射光中既有与入射光波长相同的,也有比入射光波长长的和比入射光波长短的。这与散射体性质有关

D.散射光中有些波长比入射光的波长长,且随散射角增大而增大,有些散射光波长与入射光波长相同。这都与散射体的性质无关


参考答案和解析
散射光中有些波长比入射光的波长长,且随散射角增大而增大,有些散射光波长与入射光波长相同,这都与散射体的性质无关
更多 “1、下列关于康普顿效应的描述正确的是 [ ]A.散射光的波长均比入射光的波长短,且随散射角增大而减小,但与散射体的性质无关B.散射光的波长均与入射光的波长相同,与散射角、散射体性质无关C.散射光中既有与入射光波长相同的,也有比入射光波长长的和比入射光波长短的。这与散射体性质有关D.散射光中有些波长比入射光的波长长,且随散射角增大而增大,有些散射光波长与入射光波长相同。这都与散射体的性质无关” 相关考题
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考题 下列关于干性坏疽的描述,不正确的是

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考题 关于康普顿效应的叙述,正确的是A.光子自身波长变长,产生散射现象B.光子与外层电子作用产生康普顿效应C.产生的散射线使胶片发生灰雾D.与光电效应是同一种作用形式E.当光子能量增加时康普顿效应递减

考题 关于方法F1的描述中正确的是(2),关于方法F2的描述中正确的是(3),关于方法3的描述中正确的是(4)。A.方法F1无法被访问B.只有在类O内才能访问方法F1C.只有在类P内才能访问方法F1D.只有在类Q内才能访问方法F1

考题 关于康普顿效应,叙述正确的是 A、光子能量被原子完全吸收B、始终是X线与物质作用的主要形式C、发生概率与X线能量无关D、康普顿效应所占比例随管电压升高而增加E、10~100keV时康普顿效应少于光电效应

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考题 下列关于对称密码体制描述正确的是()。

考题 关于康普顿效应的叙述,正确的是()A、康普顿效应随管电压升高而增加B、与X线能量无关C、物质作用的一种主要形式D、10~100keV时康普顿吸收少于光电E、高压时与原子序数有关

考题 关于康普顿效应的叙述,错误的是()A、光子波长变短,产生散射现象B、光子与外层电子作用产生康普顿效应C、产生的散射线使胶片发生灰雾D、是与物质作用的一种主要形式E、当光子能量增加时康普顿效应递减

考题 下列关于非对称密码体制描述正确的是()。

考题 关于货币市场,下列描述正确的是()。A、风险低B、期限在1年以内C、具有批发性特点D、流动性强

考题 以下关于光电效应和康普顿效应的不同点的论述正确的是()。A、光电效应发生于γ射线,而康普顿效应发生于β射线B、光电效应作用于物质原子的外层轨道电子,而康普顿效应作用于物质原子的内层轨道电子C、康普顿效应同时伴随特征X射线和俄歇电子产生,而光电效应不明显D、发生光电效应后γ射线消失,而发生康普顿效应后γ射线未消失,但能量减低,方向改变E、光电效应在中能范围发生几率高,而康普顿效应在低能范围发生几率高

考题 关于康普顿效应的叙述,正确的是()A、光子自身波长变短,产生散射现象B、光子与内层电子作用产生康普顿效应C、产生的散射线使胶片发生灰雾D、与光电效应是同一种作用形式E、当光子能量增加时康普顿效应递增

考题 单选题关于康普顿效应的叙述,错误的是()A 光子波长变短,产生散射现象B 光子与外层电子作用产生康普顿效应C 产生的散射线使胶片发生灰雾D 是与物质作用的一种主要形式E 当光子能量增加时康普顿效应递减

考题 填空题下列关于对称密码体制描述正确的是()。

考题 单选题关于康普顿效应,叙述正确的是()。A 光子能量被原子完全吸收B 始终是X线与物质作用的主要形式C 发生概率与X线能量无关D 康普顿效应所占比例随管电压升高而增加E 10~100keV时康普顿效应少于光电效应

考题 单选题以下关于NAS的描述,正确的是:() 描述1:NAS总是基于文件共享。 描述2:网络连接的距离影响NAS的性能。A 描述1和描述2都正确B 描述1正确,描述2错误C 描述1错误,描述2正确D 描述1和描述2都错误

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考题 单选题关于康普顿效应的叙述,正确的是()A 光子自身波长变短,产生散射现象B 光子与内层电子作用产生康普顿效应C 产生的散射线使胶片发生灰雾D 与光电效应是同一种作用形式E 当光子能量增加时康普顿效应递增

考题 单选题关于康普顿效应的叙述,正确的是()A 康普顿效应随管电压升高而增加B 与X线能量无关C 物质作用的一种主要形式D 10~100keV时康普顿吸收少于光电E 高压时与原子序数有关