考题
半导体二极管按所用材料不同可分为Si管和Ge管。()
此题为判断题(对，错)。
考题
钢主要化学成分有C、Si、S、P、Mn,这五种元素中,Mn、Si是有害元素。( )
此题为判断题(对，错)。
考题
测得某放大电路半导体三极管三个管脚对地电压为U1=3V,U2=8V,U3=3.7V,则该三极管为()。
A.NPN型Si管B.NPN型Ge管C.PNP型Si管D.PNP型Ge管
考题
Si、Mn、Al等三种元素脱氧能力强弱的顺序为( )。A.Si＜Mn＜AlB.Mn＜Si＜AlC.Mn＜Al＜Si
考题
n型半导体指在Si、Ge等四价元素中掺入少量五价元素P、SB.Bi、As。（）
考题
p型半导体指在四价元素Si、Ge等中掺入少量三价元素B.Al、SC.Y。（）
考题
导电性能介于导体和绝缘体之间的物质如硅（Si）、锗（Ge）等称为（）。A固体B绝缘体C导体D半导体。
考题
下列材料属于N型半导体是（）。A、硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）B、硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）C、砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）D、砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
考题
碳钢成份中主要化学元素有（）。A、Fe、C、Si、Mn、P、SB、C、Si、Mn、Cr、PC、Fe、Mn、Si、P、S
考题
铁水在1600℃时，其元素的氧化顺序为（）。A、Si、P、Mn、FeB、Si、Fe、P、MnC、Si、Mn、P、Fe
考题
氮化镓、碳化硅、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
考题
以下化学元素中是常用元素半导体的是（）。A、NaB、MgC、AlD、Si
考题
P型半导体是本征硅（Si）内掺入微量的五价元素磷（P）制成的。
考题
在转炉冶炼初期，元素的氧化顺序为（）。A、Si→Mn→CB、C→Mn→SiC、Si→C→Mn
考题
在转炉冶炼初期，元素的氧化顺序为（）。A、Si→Mn→CB、C→Mn→SiC、Si→C→MnD、C→Si→Mn
考题
按照各元素氧化反应放热的能力，铁水中常存元素发热量大小顺序为（）A、P、Si、C、Mn、FeB、Si、P、C、Mn、FeC、C、Si、Fe、P、Mn
考题
按照各元素与氧亲和能力大小，下列各元素的脱氧能力强弱顺序为（）A、Al、Si、C、MnB、Si、Al、C、MnC、C、Si、Al、Mn
考题
钢中的主要元素是Fe、C、Si、P、S。（）
考题
Si、Mn、Al等三种元素脱氧能力强弱的顺序为（）。A、Si＜Mn＜AlB、Mn＜Si＜AlC、Mn＜Al＜Si
考题
判断油样尘埃污染除主要特征元素浓度剧增还可观察到辅助特征元素浓度很高。主辅特征元素按顺序是（）A、Mg.SiB、Si.AlC、Si.FeD、Al.Si
考题
除Fe元素外，生铁含有的主要元素组为（）。A、C、Si、Ni、PB、C、Cu、Ni、SC、C、Si、Mn、P、SD、Ni、Cu、V、C、Mn
考题
n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量（），p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量（）在价带附近形成掺杂的能级。
考题
N型半导体主要是依靠（）导电的半导体。A、电子B、空穴C、三价硼元素D、五价锑元素
考题
半导体的导电性介于导体与绝缘体之问。常用的半导体材料有：硅（Si）和锗（Ge）。原子结构的最外层轨道上有（）个价电子。A、2B、3C、4D、5
考题
填空题半导体晶体的晶胞具有（）对称性， Si、Ge 、GaAs 晶体为（）结构。用（）h，k，l 表示晶胞晶面的方向。
考题
判断题氮化镓、碳化硅、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。A
对B
错
考题
单选题N型半导体主要是依靠（）导电的半导体。A
电子B
空穴C
三价硼元素D
五价锑元素
考题
填空题电子在热运动时不断受到晶格振动和杂质的散射作用，因而不断地改变运动方向。半导体中的主要散射机构是（）