考题
在单级共射极放大电路中,为了使工作在饱和状态的晶体三极管进入放大状态,可采用的办法是( ):
A 减小IB B 提高V G的绝对值C 减小 R C的值D 减小R B
考题
数字电路中晶体三极管工作在放大状态()
此题为判断题(对，错)。
考题
为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和状态。()
此题为判断题(对，错)。
考题
当晶体三极管发射结反偏，集电极反偏时，晶体三极管的工作状态是（）。A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态
D.无法判定
考题
晶体三极管工作在饱和状态时，满足（）A.发射结、集电结均正偏
B.发射结、集电结均反偏
C.发射结正偏、集电结反偏
D.发射结反偏、集电结正偏
考题
晶体管工作在饱和状态时其发射结正偏集电结反偏。
考题
当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态
考题
在数字电路中，晶体管作为开关应用，因此，它始终（）。A、工作在放大区B、工作在截止区C、工作在饱和区D、在截止和饱和状态间转换。
考题
晶体三极管工作在饱和状态时，满足（）。A、发射结、集电结均正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
考题
电源电压等于＋12V，三极管若工作在饱和状态时其集电极与发射极之间饱和压降为（）A、6VB、12VC、≈0.3VD、－12V
考题
晶体三极管工作在放大区时，集电结（），发射结应（）。
考题
数字电路中，晶体三极管主要工作在截止区和饱和区。38
考题
为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。
考题
晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是饱和状态
考题
用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.2—0.4V，锗管正向压降，一般为0.5—0.8V。（）
考题
当硅晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、无能确定
考题
当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。
考题
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
晶体三极管工作在放大状态时，其发射结应正偏，集电结应（）
考题
电源电压等于12V，晶体三极管若工作在饱和状态时，其集电极与发射极之间饱和压降为（）。A、约6VB、约12VC、约0.3VD、约-12V
考题
晶体三极管工作于饱和状态时，则（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
考题
测得NPN型晶体三极管的极间电压UBE=0.7V、UCE=0.3V，则该管工作在（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、反向放大状态
考题
晶体三极管作开关应用时，是工作在饱和状态和截止状态的。
考题
判断题数字电路中，晶体三极管主要工作在截止区和饱和区。38A
对B
错
考题
填空题当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。
考题
单选题电源电压等于12V，晶体三极管若工作在饱和状态时，其集电极与发射极之间饱和压降为（）。A
约6VB
约12VC
约0.3VD
约-12V
考题
判断题为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。A
对B
错