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填空题
在半导体、气体或真空中，利用电子或空穴的最小物理实体是（）.

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考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
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考题 在本征半导体中,电子浓度()空穴浓度。
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考题 在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
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考题 靠空穴导电的半导体叫做电子型半导体,靠电子导电的半导体叫做空穴型半导体。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 P型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。 A、大于B、小于C、等于D、大于或等于
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考题 在N型半导体中()。 A、只有自由电子B、只有空穴C、有空穴也有电子D、没有空穴也没有自由电子
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考题 P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
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考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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考题 在半导体、气体或真空中，利用电子或空穴的最小物理实体是（）.
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考题 在纯净半导体内掺入适量的硼元素后，整个半导体（）。A、空穴的浓度大大高于自由电子的浓度B、自由电子的浓度大大高于空穴的浓度C、空穴和自由电子的浓度不变
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考题 在半导体两端加上外电压时，半导体中出现的电流是：（）A、空穴电流B、自由电子电流C、离子电流D、A或B
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考题 关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）A、无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电
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考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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考题 半导体中的导电方式的最大特点是：（）A、自由电子导电B、离子导电C、空穴导电D、A或C
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考题 P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A、空穴；空穴B、空穴；自由电子C、自由电子；空穴D、自由电子；自由电子
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考题 在半导体中由（）导电。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、原子
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考题 在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
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考题 在P型半导体和N型半导体的接合部会产生一个区域，它（）。A、有自由电子，没有空穴B、没有自由电子，有空穴C、有自由电子，有空穴D、没有自由电子，没有空穴
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考题 磁敏传感器是利用半导体材料中的自由电子或空穴随磁场改变密度大小这一特性制成。
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考题 本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
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考题 在P型半导体中空穴是（）载流子，电子是（）载流子。
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考题 半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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考题 单选题关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）A 无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B P型半导体中只有空穴导电C N型半导体中只有自由电子参与导电D 在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电
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考题 填空题半导体对光的吸收以及与之有关的光电离过程只能直接改变电子和空穴的数量与能量，为了出现光电势，还必须具备一定的附加条件，以使光生电子和空穴能够在空间分开。在不均匀半导体中，必须（），在均匀半导体中，必须具备另外一些附加条件，比如（）或（）。
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考题 单选题在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。A 空穴／自由电子B 自由电子／空穴C 空穴／共价键电子D 负离子／正离子
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考题 单选题在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）A 电子、空穴B 空穴、电子C 电子、电子D 空穴、空穴
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