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单选题
“光电二极管与光电池相比较,其特性有所不同,下列的说法不不正确的是()
A

它们的掺杂浓度不同,光电池掺杂浓度较低,而光电二极管掺杂浓度高

B

它们的电阻率不同,光电池的电阻率低

C

工作电压偏置条件不同,光电池通常在零偏置下工作,而硅光电二极管通常在反向偏置下工作

D

它们的光电流的大小不同,硅光电二极管的光电流小得多,通常在微安级


参考答案

参考解析
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更多 “单选题“光电二极管与光电池相比较,其特性有所不同,下列的说法不不正确的是()A 它们的掺杂浓度不同,光电池掺杂浓度较低,而光电二极管掺杂浓度高B 它们的电阻率不同,光电池的电阻率低C 工作电压偏置条件不同,光电池通常在零偏置下工作,而硅光电二极管通常在反向偏置下工作D 它们的光电流的大小不同,硅光电二极管的光电流小得多,通常在微安级” 相关考题
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考题 行政纪律与法律有所不同,下列说法不正确的是()A、层次不同B、产生方式相似C、调整对象不同D、责任后果不同

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考题 基于光生伏特效应的光电器件有光电二极管、光电三极管和光电池。

考题 不属于内光电效应的元件是()。A、光敏电阻B、光电池C、光电二极管D、光电管

考题 光电二极管的光谱特性与PN结的结深有关。

考题 关于光电池的最合适的说法是()。A、光电池是基于外光电效应原理工作的;B、光电池是基于光在PN结上产生光生电子对工作的;C、光电池是基于内光电效应原理工作的;D、光电池是基于光电管原理工作的。

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考题 单选题()的灵敏度最高。A 光电二极管B 光敏电阻C 光电三极管D 硅光电池

考题 填空题硅光电池、PIN型光电二极管、和雪崩光电二极管,三者中时间常数最大的是()。

考题 单选题以下关于“光电二极管与光电池不同之处”的叙述不正确的是()A 它们的掺杂浓度不同,光电池掺杂浓度较高,而光电二极管掺杂浓度低;B 它们的电阻率不同,光电池的电阻率低;C 工作电压偏置条件不同,光电池通常在零偏置下工作,而光电二极管通常在反向偏置下工作;D 它们的光电流的大小不同,光电池的光电流小得多,通常在微安级。

考题 单选题硅光电二极管与硅光电池相比,前者比后者不正确的说法是()A 衬底掺杂浓度高;B 电阻率高;C 光敏面小;D 前者反偏后者无偏;

考题 单选题硅光电二极管与硅光电池比较,后者()。A 掺杂浓度低B 电阻率低C 反偏工作D 光敏面积小

考题 问答题请比较光电二极管和光电池的类同点。

考题 单选题依据光电器件伏安特性,下列哪些器件不能视为恒流源:()A 光电二极管B 光电三极管C 光电倍增管D 光电池

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考题 单选题关于半导体光伏器件,以下说法正确的是:()A 光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第一象限;B 光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第四象限C 光电池通常工作在其伏安特性曲线的第一象限;D 光电池通常工作在其伏安特性曲线的第四象限;

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考题 填空题光电池的基本特性有()、伏安特性、()、频率特性、()。

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