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下面有关材料衰减的叙述、哪句话是错误的：（）
- A、横波衰减比纵波严重
- B、衰减系数一般随材料的温度上升而增大
- C、当晶粒度大于波长1/10时对探伤有显著影响
- D、提高增益可完全克服衰减对探伤的影响
参考答案
更多 “下面有关材料衰减的叙述、哪句话是错误的：（）A、横波衰减比纵波严重B、衰减系数一般随材料的温度上升而增大C、当晶粒度大于波长1/10时对探伤有显著影响D、提高增益可完全克服衰减对探伤的影响” 相关考题
考题
关于物质对X线衰减的叙述,错误的是A.X线穿过物质时被衰减B.康普顿效应不产生衰减SXB
关于物质对X线衰减的叙述，错误的是A.X线穿过物质时被衰减B.康普顿效应不产生衰减C.吸收衰减为光电效应所致D.诊断领域X线衰减与电子对效应无关E.X线能量影响衰减
考题
关于X线在物质中的衰减的叙述，错误的是A.X线衰线与X线波长无关B.X线衰线与透过物质有关C.线性衰减系数是以长度为单位的衰减D.质量吸收系数是以质量厚度为单位的衰减E.总衰减系数是各种衰减系数的总和
考题
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单Ⅱ．DRAM比SRAM成本高Ⅲ．DRAM比SRAM速度快Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中哪两个叙述是错误的?A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
考题
关于X线在物质中衰减的叙述，错误的是A．X线衰线与X线波长无关B．X线衰线与透过物质有关C．线性衰减系数是以长度为单位的衰减D．质量吸收系数是以质量厚度为单位的衰减E．总衰减系数是各种衰减系数的总和
考题
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新其中哪两个叙述是错误的?A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④
考题
关于X线线吸收衰减系数μ，错误的叙述是()。A.x线穿过人体某一部位时，其强度按指数规律吸收衰减B.x线衰减系数与物质的原子序数和密度有关C.x线衰减系数与物质的厚度有关D.x线衰减系数与ct扫描的时间有关E.X线衰减系数与CT扫描时所采用的能量大小有关
考题
关于X线衰减系数，错误的叙述是A．X线衰减系数与CT扫描所采用的能量大小有关B．X线衰减系数与CT扫描时间有关C．X线衰减系数与物质原子序数和密度有关D．X线衰减系数与物质的厚度有关E．X线穿过人体某一部位时强度按指数规律吸收衰减
考题
人体对X线衰减的叙述,错误的是A.骨组织对X线衰减最大B.软组织对X线衰减相当于水SXB
人体对X线衰减的叙述，错误的是A.骨组织对X线衰减最大B.软组织对X线衰减相当于水C.组织对X线衰减不同形成影像对比D.骨对X线衰减相当于铅E.空气对X线衰减最小
考题
下面哪些有关卫星降雨衰减论述是正确的？（）A、是由于雨滴的散射和吸收引起B、降雨衰减与频率和极化方式有关C、与信号经过降雨区域的有效路径长度无关D、降雨衰减和本地区降雨率（指雨水蓄积的速度）有关
考题
下列叙述正确的是（）A、线衰减系数与吸收物质的密度成反比B、质量衰减系数与物质密度有关C、质量衰减系数与物质的物理形态有关D、水、冰和水蒸气的质量衰减系数相同E、水、冰和水蒸气的线衰减系数相同
考题
单选题关于X线在物质中衰减的叙述，错误的是（）A
X线衰线与X线波长无关B
X线衰线与透过物质有关C
线性衰减系数是以长度为单位的衰减D
质量吸收系数是以质量厚度为单位的衰减E
总衰减系数是各种衰减系数的总和
考题
单选题用底波调节法校准锻件检测灵敏度时,下面有关缺陷定量的叙述中哪点是错误的。 （）。A
可不考虑检测耦合差补偿B
缺陷定量可采用计算法或AVG曲线法C
可不使用试块D
缺陷定量可不考虑衰减差修正
考题
多选题下面哪些有关卫星降雨衰减论述是正确的？（）A是由于雨滴的散射和吸收引起B降雨衰减与频率和极化方式有关C与信号经过降雨区域的有效路径长度无关D降雨衰减和本地区降雨率（指雨水蓄积的速度）有关
考题
单选题关于X线线吸收衰减系数μ，错误的叙述是（）A
X线穿过人体某一部位时，其强度按指数规律吸收衰减B
X线衰减系数与物质的原子序数和密度有关C
X线衰减系数与物质的厚度有关D
X线衰减系数与CT扫描的时间有关E
X线衰减系数与CT扫描时所采用的能量大小有关
考题
单选题下面有关材料衰减的叙述、哪句话是错误的：（）A
横波衰减比纵波严重B
衰减系数一般随材料的温度上升而增大C
当晶粒度大于波长1/10时对探伤有显著影响D
提高增益可完全克服衰减对探伤的影响
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