考题
BJT处于截止状态的条件是()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏
考题
BJT工作在放大区的工作条件是:()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏
考题
三极管工作在放大区的条件是()。
A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结反偏,集电结正偏C、发射结正偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结反偏
考题
处于饱和状态的三极管,其工作状态为()。A.发射结正偏、集电结反偏
B.发射结反偏、集电结正偏
C.发射结反偏、集电结反偏
D.发射结正偏、集电结正偏
考题
三极管工作于放大状态的条件是( )。A.发射结正偏,集电结反偏
B.发射结正偏,集电结正偏
C.发射结反偏,集电结正偏
D.发射结反偏,集电结反偏
考题
双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是()A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏
考题
处于截止状态的三极管,其工作状态为()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结反偏,集电结反偏C、发射结正偏,集电结正偏
考题
三极管工作在截止模式时要求()A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
考题
半导体三极管的放大条件是()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏
考题
三极管工作在放大状态时,发射结和集电结的偏置应为()。A、发射结零偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结正偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结反偏
考题
晶体三极管处于放大状态的条件是()。A、发射结反偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结正偏,集电结反偏
考题
三极管饱和工作状态的外部条件是()。A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结正偏
考题
三极管起放大作用的外部条件是()。A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结正偏
考题
三极管工作在放大状态的条件()。A、发射结与集电结都正偏B、发射结与集电结都反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结正偏、集电结都反偏
考题
三极管工作在放大状态时,PN结的偏置状态是()。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏
考题
晶体管能够放大的外部条件是()。A、发射结反偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结反偏D、发射结正偏,集电结反偏
考题
处于截止状态的三极管,其工作状态为()。A、发射结正偏,集电结反偏;B、发射结反偏,集电结反偏;C、发射结正偏,集电结正偏;D、发射结反偏,集电结正偏。
考题
工作在放大区的NPN型三极管,其偏置条件是()A、发射结反偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结正偏,集电结正偏
考题
三极管工作于放大状态的条件是()A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏
考题
半导体三极管处在饱和状态时是()A、发射结反偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结正偏
考题
三极管工作在饱和区,要求()A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏
考题
三极管工作在放大状态时,其偏置应为()A、发射结零偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结反偏
考题
晶体三极管工作于饱和状态时,则()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏
考题
晶体三极管工作在放大状态的外部条件是()。A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结反偏、集电结反偏
考题
若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
考题
单选题若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A
发射结正偏、集电结正偏B
发射结反偏、集电结反偏C
发射结正偏、集电结反偏D
发射结反偏、集电结正偏
考题
单选题半导体三极管的放大条件是()。A
发射结正偏,集电结反偏B
发射结正偏,集电结正偏C
发射结反偏,集电结正偏D
发射结反偏,集电结反偏