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下列有关烤瓷金属内冠除气的说法，正确的是（）
- A、除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体，并形成氧化膜
- B、贵金属需在半真空下加热10～15分钟即可
- C、非贵金属需在半真空下加热5分钟即可
- D、理想的氧层厚度是0.2～2μm
- E、氧化层厚度与金属-烤瓷结合强度成正变关系
参考答案
更多 “下列有关烤瓷金属内冠除气的说法，正确的是（）A、除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体，并形成氧化膜B、贵金属需在半真空下加热10～15分钟即可C、非贵金属需在半真空下加热5分钟即可D、理想的氧层厚度是0.2～2μmE、氧化层厚度与金属-烤瓷结合强度成正变关系” 相关考题
考题
金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的打磨处理中错误的是A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合．部要求的外形D、禁止使用橡皮轮磨光E、用50～100μm的氧化铝喷砂PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同E、理想的氧化膜厚度为0．2～2μm
考题
PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A．非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B．贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C．巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D．非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同E．理想的氧化膜厚度为0.2～2μm
考题
关于影响合金与烤瓷结合的因素的说法，正确的是A.贵金属合金上瓷前需预氧化
B.贵金属合金基底冠的厚度为0.2～0.3mm
C.机械性的结合力起最大的作用
D.金属的熔点要低于烤瓷材料的烧结温度
E.合金表面氧化膜的厚度一般小于0.2μm
考题
关于影响合金与烤瓷结合的因素的说法，正确的是A.合金表面氧化膜的厚度一般小于0.2μm
B.贵金属合金基底冠的厚度为0.2～0.3mm
C.机械性的结合力起最大的作用
D.贵金属合金上瓷前需预氧化
E.金属的熔点要低于烤瓷材料的烧结温度
考题
金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是（）。A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同E、理想的氧化膜厚度为0.2～2μm
考题
关于影响合金与烤瓷结合的因素的说法，正确的是（）。A、合金表面氧化膜的厚度一般小于0.2μmB、机械性的结合力起最大的作用C、贵金属合金基底冠的厚度为0.2～0.3mmD、贵金属合金上瓷前需预氧化E、金属的熔点要低于烤瓷材料的烧结温度
考题
下列有关烤瓷金属内冠除气的说法，正确的是（）A、除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体，并形成氧化膜B、贵金属需在半真空下加热10～15分钟即可C、非贵金属需在半真空下加热5分钟即可D、理想的氧层厚度是0.2～2μmE、氧化层厚度与金属-烤瓷结合强度成正变关系
考题
单选题关于影响合金与烤瓷结合的因素的说法，哪项正确？（ ）A
合金表面氧化膜的厚度一般小于0.2/μmB
机械性的结合力起最大的作用C
贵金属合金基底冠的厚度为0.2～0.3mmD
贵金属合金上瓷前需预氧化E
金属的熔点要低于烤瓷材料的烧结温度
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