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电瓷的介电强度(kV/cm)随着壁厚d(cm)增加而增加()


参考答案

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考题 关于散射线含有率的概念,错误的是A.随管电压的升高而加大平稳B.与散射线的散射角无关C.随体厚的增加而增加D.30cm×30cm的照射野时达到了饱和

考题 关于散射线含有率的概念,错误的是A.随管电压的升高而加大B.80~90kV以上时,散射线含有率趋向平稳C.与散射线的散射角无关D.随体厚的增加而增加E.30cm×30cm的照射野时达到了饱和

考题 A.Ap随着μ的增加而增加 B.p随着σ的增加而增加 C.p随着μ的增加而减少 D.p随着σ的增加而减少

考题 在变电所电气设备与工频电压的配合中,已知对处于I级污秽区的220kV变电所,标准要求设备户外电瓷绝缘的爬电比距应不小于1.60cm/kV。试计算设备户外电瓷绝缘的爬电距离L,并说明I级污移区电气设备爬电比距的取值应不小于1.60cm/kV时的户外电瓷绝缘的瓷件平均直径DM的大小。 设备户外电瓷绝缘的爬电距离L的计算值不小于()。 A.384cm; B.403cm; C.444cm; D.484cm。

考题 某电厂新建两台135MW燃煤发电机组,电厂以220kV电压接入系统,出线2回,预留1回。两台机组均采用发电机一变压器组单元接线接入厂内220kV母线。发电机引出线及厂用分支线采用分相封闭母线。 已知220kV升压站位于I级污秽地区,户外电瓷绝缘的爬电比距γ=1.6cm/kV,断路器瓷件的平均直径为320mm,试计算断路器瓷件的对地爬电距离L1及同极断口间灭弧室瓷套爬电距离L2分别为()。 A.L1=352,L2=404.8cm; B.L1=256.07cm,L2=294.48cm; C.L1=404.8cm,L2=445.28cm; D.L1=443.52cm,L2=51O.05cm。

考题 根据变电所电气设备与工频电压的配合,在一个处于II级污秽区的变电所中,选用550kV电气设备时,当电瓷件平均直径队在300~500cm和Dm大于500cm时,确定设备的户外电瓷绝缘的几何爬电距离L。 当Dm在300~500cm时,爬电距离L不小于( )。 A.1050cm; B.1100cm; C.1210cm; D.1435cm。

考题 在变电所电气设备与工频电压的配合中,已知对处于I级污秽区的220kV变电所,标准要求设备户外电瓷绝缘的爬电比距应不小于1.60cm/kV。试计算设备户外电瓷绝缘的爬电距离L,并说明I级污移区电气设备爬电比距的取值应不小于1.60cm/kV时的户外电瓷绝缘的瓷件平均直径DM的大小。 I级污秽区电气设备爬电比距A的取值应不小于1.60cm/kV,是在户外电瓷绝缘的瓷件平均直径DM为()的条件下规定的。 A.Dm 3OOmm; B.300mm≤Dm≤400mm; C.300mm≤Dm≤500mm; D.Dm 500mm。

考题 根据变电所电气设备与工频电压的配合,在一个处于II级污秽区的变电所中,选用550kV电气设备时,当电瓷件平均直径队在300~500cm和Dm大于500cm时,确定设备的户外电瓷绝缘的几何爬电距离L。 当Dm大于500cm时,爬电距离L不小于()。 A.1215cm; B.1320cm; C.1430cm; D.1540cm。

考题 铸件的壁不宜太厚,随着铸件壁厚的增加,中心部位的晶粒会变得(),而且厚壁铸件易产生()、()等缺陷。

考题 对于一般无污染地区,为保证使用的绝缘子串或瓷横担绝缘水平,要求泄漏比距应不小于()。A、1.0cm/kV;B、1.4cm/kV;C、1.6cm/kV;D、2.0cm/kV。

考题 下列哪个参数会随着灰分的增加而增加()A、电导率B、膜厚C、泳透力D、最大电流

考题 对于同一材料,导热量一定时,随着壁厚的增加,壁面温度()。A、不变B、减小C、增大

考题 直接与工艺介质相接触的仪表接头,随着压力等级的增加,其外径不变而壁厚增加,通径减小。

考题 偏压构件的抗弯承载力()。A、随着轴向力的增加而增加B、随着轴向力的减少而增加 C、小偏压时随着轴向力的增加而增加D、大偏压时随着轴向力的增加而增加。

考题 变位齿轮的齿厚与随着变位系数的增加而()。

考题 对于电阻率随湿度的增加而下降的半导体陶瓷湿敏元件称为()湿敏半导瓷。电阻率随着湿度的增加而增大的半导体陶瓷湿敏元件,称为()湿敏半导瓷。

考题 关于散射线的叙述,错误的是()。A、体厚小于15cm,散射线对胶片的影响小B、在管电压80~90kV以上时趋向平稳C、随被照体厚度增加而增加D、在照射野为30cm×30cm时达到饱和E、随管电压升高而减小

考题 正常的成年人胆囊超声测值为()。A、长径10cm,短径4cm,壁厚0.5cmB、长径9cm,短径4cm,壁厚0.4cmC、长径9cm,短径3.5cm,壁厚0.3cmD、长径10cm,短径3.5cm,壁厚0.3cmE、长径9cm,短径3.5cm,壁厚0.2cm

考题 慢性胆囊炎()A、胆囊内径8.9cm×3.6cm,壁厚0.4cm,超声"莫菲征"阳性B、胆囊内径6.0cm×2.5cm,壁厚0.7cm,超声"莫菲征"阴性C、胆囊内径3.5cm×0.6cm,壁厚0.3cm,回声增强D、胆囊内径6.3cm×2.4cm,壁厚0.5cm,内壁线不规则,胆囊腔狭窄变形E、胆囊内径6.5cm×2.6cm,壁厚0.5cm,壁间可见强回声光斑,后方伴彗星尾征

考题 胆囊壁水肿()A、胆囊内径8.9cm×3.6cm,壁厚0.4cm,超声"莫菲征"阳性B、胆囊内径6.0cm×2.5cm,壁厚0.7cm,超声"莫菲征"阴性C、胆囊内径3.5cm×0.6cm,壁厚0.3cm,回声增强D、胆囊内径6.3cm×2.4cm,壁厚0.5cm,内壁线不规则,胆囊腔狭窄变形E、胆囊内径6.5cm×2.6cm,壁厚0.5cm,壁间可见强回声光斑,后方伴彗星尾征

考题 某500kV变电站处于Ⅲ级污秽区(2.5cm/kV),请对变电站内电气设备的绝缘水平进行选择和计算。按国家标准规定选取该变电站500kV断路器瓷套对地最小爬电距离和按电力行业标准规定选取的断路器同极断口间的爬电距离不应小于下列()。A、1375cm、1650cmB、1250cm、1500cmC、1375cm、1375cmD、1250cm、1250cm

考题 某500kV变电站处于Ⅲ级污秽区(2.5cm/kV),请对变电站内电气设备的绝缘水平进行选择和计算。若500kV电流互感器直径为520mm,计算互感器的电瓷外绝缘爬电距离不应小于下列何值()?A、1237.5cmB、1375cmC、1512.5cmD、1650cm

考题 空气的介电强度为30kV/cm,今有一平行板电容器,两极板相距0.50cm,板间是空气,问它能耐多高的电压。

考题 填空题对于电阻率随湿度的增加而下降的半导体陶瓷湿敏元件称为()湿敏半导瓷。电阻率随着湿度的增加而增大的半导体陶瓷湿敏元件,称为()湿敏半导瓷。

考题 单选题关于散射线的叙述,错误的是()。A 体厚小于15cm,散射线对胶片的影响小B 在管电压80~90kV以上时趋向平稳C 随被照体厚度增加而增加D 在照射野为30cm×30cm时达到饱和E 随管电压升高而减小

考题 单选题偏压构件的抗剪承载力()A 随着轴向力的增加而增加B 随着轴向力的减少而增加C 小偏压时随着轴向力的增加而增加D 大偏压时随着轴向力的增加而增加