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电极极心园较小时，二次工作电压应选得低些。

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考题 若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管()。 A、集电极电流减小B、集电极与发射极电压VCE上升C、集电极电流增大
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考题 金属材料较软或钻头直径较小时,则切削速度可以适当选得低一些。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 热交换器的高温端的电极电位较______为______极。 A.低/阳B.低/阴C.高/阳D.高/阴
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考题 共射极放大电路的电源电压是通过集电极电阻RC加到集—射极之间的,集电极的静态工作电压UCEO等于电源电压。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 热交换器的低温端的电极电位较（）为（）极。A、低/阳B、低/阴C、高/阳D、高/阴
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考题 单扫描极谱常使用三电极系统，即滴汞电极．参比电极与铂丝辅助电极，这是为了（）A、确保工作电极电位完全受外加电压控制B、保证参比电极电位始终为零C、增强极化电压的稳定性D、提高方法的灵敏度
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考题 由于电晕极振打周期过长，造成电极积灰严重，使一次电压正常，一次电流较低；二次电压稍低，二次电流明显降低时，应调整振打（）。A、力B、周期C、时间D、速度
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考题 晶体三极管在放大器正常工作时，发射极加（）电压，集电极加（）电压。
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考题 电极心园直径
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考题 一个PNP型的三极管，它的发射极电压与基极电压和集电极电压相比较它的发射极电位应（）。A、最高B、最低C、居中D、为0
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考题 炉料电阻较小时，二次工作电压应选得低些。
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考题 炉料电阻较小时，二次工作电压也应选得高些。
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考题 晶体三极管工作在放大状态时，发射极加（）电压，集电极加（）电压。
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考题 最大反向工作电压是保证二极管不被击穿而规定的最高反向（）。A、电流B、电阻C、电压D、电极
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考题 车速越高、负载越小时，BG1的电压Uce1极电压越低，BGZ的电压Uce2极电压越高。
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考题 晶体三极管在放大器正常工作时，发射极加电压，集电极加（）。
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考题 NPN三极管放大导通必须满足这样的条件，即（）。A、发射极加正向电压，集电极加反向电压B、发射极加反向电压，集电极加正向电压C、基极加反向电压，集电极加正向电压D、基极加正向电压，集电极加反向电压
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考题 霍尔元件的两对电极分别是（）。A、电压控制极B、电流控制极C、控制电极D、霍尔电势输出极
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考题 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变（）；若负载电阻RL变小时，其电压增益将变（）
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考题 半导体三极管起放大作用时，必须（）A、发射极与集电极都加正向电压；B、发射极与集电极都加反向电压；C、发射极加正向电压，集电极加反向电压；D、发射极加反向电压，集电极加正向电压；
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考题 功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和（）。A、基极最大允许直流功率线B、基极最大允许电压线C、临界饱和线D、二次击穿功率线
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考题 坦拱的拱轴系数可以选得（）一些，陡拱的拱轴系数可以选得（）一些；高填土拱桥的拱轴系数可以选得（）一些，低填土拱桥的拱轴系数可以选得（）一些。
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考题 NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管（）A、集电极对发射极的电压VCE下降B、基极电流增大C、集电极对发射极的电压VCE上升
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考题 单选题热交换器的高温端的电极电位较（）为（）极。A 低；阳B 低；阴C 高；阳D 高；阴
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考题 单选题NPN型三极管放大导通必须满足的条件：（）。A 基极加正向电压，集电极加反向电压B 基极加反向电压，集电极加正向电压C 发射极加反向电压，集电极加正向电压D 发射极加正向电压，集电极加反向电压
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考题 单选题功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和（）。A 基极最大允许直流功率线B 基极最大允许电压线C 临界饱和线D 二次击穿功率线
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考题 填空题坦拱的拱轴系数可以选得（）一些，陡拱的拱轴系数可以选得（）一些；高填土拱桥的拱轴系数可以选得（）一些，低填土拱桥的拱轴系数可以选得（）一些。
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