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QSI电桥反接时（）。

  • A、只有标准电容外壳带电
  • B、只有桥体内部及三根引线带电
  • C、标准电容器外壳、桥体内部及三根引线均带电

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考题 在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。( )
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考题 QSl型西林电桥反接线时电桥桥体处于高电位。( )
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考题 用QS－1型西林电桥反接线测量时,试验电压不能超过()KV,而正接线测量时却()限制。
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考题 采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。A对B错
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考题 现场用QSI型西林电桥测量设备绝缘的tgδ，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tgδ值大。
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考题 采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。
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考题 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
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考题 QS1电桥反接线时（）都处于高电位情况。
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考题 测量变压器介质损失角正切值，用（）。A、电压降法B、屏蔽法C、直流电桥法D、QSI型交流电桥法
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考题 采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。
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考题 采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。A、低B、高C、相等
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考题 西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A、正接线B、反接线C、交叉接线
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考题 适用QSI型西林电桥测量试品tg∮，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在中间位置。
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考题 在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
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考题 介质损耗测量时,测量变压器的器身使用电桥正接法,测量套管使用反接法.（　）
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考题 QS1型交流电桥在使用时采用反接线方法，是使被试设备（）接地。测量时电桥上于（），试验电压受电桥绝缘水平限制，高压端对地杂散电流不易消除，抗干扰性差。A、两端、高电位B、两端、低电位C、一端、低电位D、一端、高电位
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考题 QS1型交流电桥在使用时有通常有以下（）接线方法A、正接线B、反接线C、侧接线D、低压接线
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考题 在QSI型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥R3的调节值需趋向最高限值，电桥才能趋抽平衡。
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考题 使用高压电桥测量耦合电容器（包括断路器的断口均压电容器）的介损和电容时，宜采用（），反接线测量误差较（）。A、反接；小B、正接；大C、反接；大D、正接；小
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考题 判断题采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。A 对B 错
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考题 判断题适用QSI型西林电桥测量试品tg∮，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在中间位置。A 对B 错
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考题 单选题用西林电桥测量介质损耗角正切值时，采用反接法（）。A 可以试品一端接地B 试品设在高压端C 不适用于现场试验D 操作方便
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考题 单选题采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。A 低B 高C 相等
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考题 单选题西林电桥正接线与反接线相比抗干扰能力（）A 较强B 较弱C 相同
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考题 单选题西林电桥正接线与反接线相比抗干扰能力（）A 较强B 较弱C 相同D 都可能
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考题 单选题西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A 正接线B 反接线C 交叉接线
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考题 判断题介质损耗测量时,测量变压器的器身使用电桥正接法,测量套管使用反接法.（　）A 对B 错
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