网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。

  • A、W型半导体
  • B、U型半导体
  • C、P型半导体
  • D、N型半导体

参考答案

更多 “N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体” 相关考题
考题 N型半导体中,自由电子为多数载流子,空穴为少子。() 此题为判断题(对,错)。

考题 自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()

考题 下列关于P型半导体的说法正确的是()。A、自由电子`数大于空穴总数B、空穴总数远大于自由电子数C、自由电子成为多数载流子D、空穴成为少数载流子

考题 在N型半导体中,自由电子的数目比空穴数目多得多,故自由电子称为多数载流子,空穴称为少数载流子。() 此题为判断题(对,错)。

考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

考题 N型杂质半导体中,多数载流子是()A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子

考题 N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电 子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?

考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体

考题 半导体自由电子数远多于空穴数称为电子型半导体,简称N型半导体。

考题 P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。A、空穴;空穴B、空穴;自由电子C、自由电子;空穴D、自由电子;自由电子

考题 在N型半导体中,()是多数载流子。A、负电荷B、空穴C、正电荷D、自由电子

考题 在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,多子(自由电子)的数量=()+少子(空穴)的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子

考题 N型半导体中,多数载流子是(),P型半导体中,多数载流子是()。A、正离子B、自由电子C、空穴D、负离子E、质子F、中子

考题 N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。

考题 对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

考题 P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。()

考题 N型半导体中多数载流子是()A、自由电子B、空穴C、负离子D、正离子

考题 P型半导体中的多数载流子是指()A、自由电子B、空穴C、自由电子—空穴对D、等离子

考题 在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子,多子(空穴)的数量=()+少子(自由电子)的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子

考题 半导体的空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体

考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数。

考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体

考题 半导体的自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体

考题 单选题在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子,多子(空穴)的数量=()+少子(自由电子)的数量。A 正离子数B 负离子数C 质子D 原子

考题 单选题N型杂质半导体中,多数载流子是()A 正离子B 负离子C 空穴D 自由电子

考题 单选题在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。A 空穴/自由电子B 自由电子/空穴C 空穴/共价键电子D 负离子/正离子

考题 单选题在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,多子(自由电子)的数量=()+少子(空穴)的数量。A 正离子数B 负离子数C 质子D 原子