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全身治疗时，有关建成效应的论述，以下正确的是（）。
- A、建成效应不随SSD而变化
- B、建成效应随SSD的增大而增大
- C、建成效应随SSD的减小而增大
- D、建成效应不随射线能量而变化
- E、建成效应不随散射屏与患者间的距离而变化
参考答案
更多 “全身治疗时，有关建成效应的论述，以下正确的是（）。A、建成效应不随SSD而变化B、建成效应随SSD的增大而增大C、建成效应随SSD的减小而增大D、建成效应不随射线能量而变化E、建成效应不随散射屏与患者间的距离而变化” 相关考题
考题
当源皮距(SSD)增加，射野面积不变时，则A、PDD随SSD的增加而减少B、PDD随SSD的增加而增加C、PDD不随SSD的增加而发生变化D、PDD随深度的变化加快E、PDD随深度的变化不变
考题
A.截止区IB≤0，饱和区IC不随，IB的增大或减小而变化，放大区IC随IB的控制而变化
B.截止区IB≈0，饱和区IC随IB的增大或减小而变化，放大区IC随IB的控制而变化
C.截止区IB≤0，饱和区IB随IC的增大或减小而变化，放大区IC随IB的控制而变化
D.截止区IB≤0，饱和区IC随IB的增大或减小而变化，放大区IB随IC的控制而变化
考题
关于建成效应的描述，错误的是（）A、从表面到最大剂量深度区域成为建成区域B、对高能X射线，一般都有剂量建成区域存在C、剂量建成区内表面剂量不能为零D、高能次级电子数随深度增加而增加，导致建成区域内总吸收剂量随深度而增加E、高能X射线建成区深度随能量增加而增加
考题
有关TBI射线能量的选择，以下不正确的是（）A、原则上所有高能X（γ）线均能作全身照射B、TBI的剂量分布受组织侧向效应的影响C、TBI的剂量分布受组织剂量建成区的影响D、体中线与表浅部位间剂量的比值不随能量变化E、选择侧位照射技术，至少应用6MV以上的X射线
考题
以下关于光电效应的叙述，哪一条是错误的（）A、光电效应发生几率随光子能量的增大而减小B、光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程中除产生光电子外，有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量
考题
下列对电子对效应的叙述中，哪些是正确的（）A、电子对效应发生的概率随物质的原子序数的增大而急剧增大B、入射光子能量大小不会影响电子对方向C、电子对效应发生的概率随光子能量的增大而增大D、电子对效应发生的概率随光子能量的增加而减小E、电子对效应作用产物为正、负电子对
考题
当源皮距（SSD）增加，射野面积不变时（）A、PDD随SSD的增加而减少B、PDD随SSD的增加而增加C、PDD不随SSD的增加而发生变化D、PDD随深度的变化加快E、PDD随深度的变化不变
考题
对高能X射线剂量建成区，描述正确的是（）A、一般使肿瘤位于建成区之前B、一般使肿瘤体积的一半位于建成区之前C、肿瘤中心通过剂量最大点D、最大剂量建成深度随射线能量增加而增加E、最大剂量建成深度随射线能量增加而靠近皮肤表面
考题
下列对光电效应的叙述中，哪些是正确的（）A、光电效应发生的概率随光子的能量增大而减小B、光电效应发生的概率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程除产生光电子外，有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子能量肯定小于入射光子的能量E、光电效应作用对象为轨道电子
考题
单选题对高能X射线剂量建成区，描述正确的是（）。A
一般使肿瘤位于建成区之前B
一般使肿瘤体积的一半位于建成区之前C
肿瘤中心通过剂量最大点D
最大剂量建成深度随射线能量增加而增加E
最大剂量建成深度随射线能量增加而靠近皮肤表面
考题
单选题以下关于光电效应的叙述，哪一条是错误的（）A
光电效应发生几率随光子能量的增大而减小B
光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大C
光电效应过程中除产生光电子外，有时还会产生反冲电子D
光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量
考题
单选题当源皮距（SSD）增加，射野面积不变时，则（）A
PDD随SSD的增加而减少B
PDD随SSD的增加而增加C
PDD不随SSD的增加而发生变化D
PDD随深度的变化加快E
PDD随深度的变化不变
考题
多选题下列对电子对效应的叙述中，哪些是正确的（）A电子对效应发生的概率随物质的原子序数的增大而急剧增大B入射光子能量大小不会影响电子对方向C电子对效应发生的概率随光子能量的增大而增大D电子对效应发生的概率随光子能量的增加而减小E电子对效应作用产物为正、负电子对
考题
单选题全身治疗时，有关建成效应的论述，以下正确的是（）。A
建成效应不随SSD而变化B
建成效应随SSD的增大而增大C
建成效应随SSD的减小而增大D
建成效应不随射线能量而变化E
建成效应不随散射屏与患者间的距离而变化
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