考题
vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。
A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
考题
在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。
A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
考题
()场效应管能采取自偏压电路。A、增强型和结型B、耗尽型和结型C、都不能D、增强型和耗尽型
考题
功率场效应晶体管一般为()。
A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型
考题
功率场效应晶体管一般为()。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型
考题
结型场效应管的类型有()。
A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
考题
场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。
A.增强型B.耗尽型C.增强型和耗尽型D.以上均不对
考题
什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）
考题
结型场效应管可分为（）。A、MOS管和MNS管B、N沟道和P沟道C、增强型和耗尽型D、NPN型和PNP型
考题
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
场效应管按结构分为结型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
考题
场效应管按性能分为耗尽型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
考题
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
考题
当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
考题
下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
考题
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
考题
NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。
考题
单选题当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。A
积累B
耗尽C
导通D
夹断
考题
问答题耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？
考题
单选题NMOS器件的衬底是（）型半导体。A
N型B
P型C
本征型D
耗尽型
考题
单选题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）A
大于零B
等于零C
大于0.7VD
小于零
考题
问答题解释增强型晶体管和耗尽型晶体管使用情况的区别。
