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Intel 2164A芯片刷新时，只送入4个7位行地址进行刷新。
参考答案
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考题
有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?
考题
有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
考题
已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：若芯片内部采用128×128矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。
考题
一般情况下，BIOS芯片都是可以进行升级或者刷新的。以下哪些情况BIOS芯片可以直接进行升级或刷新（）。A、BIOS芯片被烧毁B、BIOS芯片数据丢失C、BIOS芯片数据过旧D、BIOS芯片在刷新过程中断电引起的损坏
考题
问答题已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：若芯片内部采用128×128矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。
考题
单选题动态存贮器刷新，下面哪种说法正确（ ）A
刷新可在CPU执行程序过程中进行B
刷新在外电路控制下，定时刷新，但刷新时，信息不读出C
在正常存贮器读操作时也会发生刷新，可防止刷新影响读出信息，故读操作时，应关闭电路工作。D
刷新过程一定伴随着信息输出，无法控制，故刷新时不要进行读出操作。
考题
单选题动态RAM芯片2164的容量为64K位（256×256），对2164芯片的刷新方法是（）。A
每次刷新1个单元B
每次刷新256个单元C
每次刷新512个单元D
一次刷新全部单元
考题
判断题Intel 2164A芯片地址线仅有A7～A0共8条线、分别为行和列地址，共同构成16位地址。A
对B
错
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