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下列按块擦除的是()存储器。

  • A、EPROM
  • B、EEPROM
  • C、PROM
  • D、FLASH

参考答案

更多 “下列按块擦除的是()存储器。A、EPROMB、EEPROMC、PROMD、FLASH” 相关考题
考题 下列各类存储器中,不采用随机方式的是() A.EPROMB.CDROMC.DRAMD.SRAM

考题 目标文件的.text段对应的虚拟的目标存储器是() A. RAMB. EEPROMC. ROMD. FLASH

考题 S7-200存储系统硬件包括()。 A.RAM存储器B.EEPROMC.PROMD.EPROM

考题 移动电话机被锁住了,维修时应处理()存储器。 A、EPROMB、CPUC、E2PROMD、SRAM

考题 在各种存储器中,闪速存储器是一种电可擦可编程的只读存储器,与E2PROM相比其特点是(8)。A.擦除和读出速度较快,可擦字节擦除B.擦除和读出速度较快,只能按数据块擦除C.擦除和读出速度较慢,只能按数据块擦除D.擦除和读出速度较慢,可按字节擦除

考题 下面几种半导体存储器中,哪一种存储器既具有非易失性又能快速擦除和重写?A.DRAMB.SRAMC.PROMD.FlashMemory

考题 在下列器件中,哪些器件需要用紫外线进行信息的擦除( )。A.EPROMB.DRAMC.SRAMD.SAM

考题 下列有关Flash存储器的描述,不正确的是()A、Flash存储器属于非易失的存储器B、Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同C、Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同D、Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息

考题 下述关于FlashROM的描述中不正确的是()。A、Flash ROM中的内容不可擦除B、Flash ROM是一种特殊的EEPROMC、Flash ROM具有容量大、速度快、价格低的特点D、Flash ROM中的内容不需任何设备,在计算机内部就可改写

考题 在微机保护中,掉电会丢失数据的主存储器是()。A、EPROMB、EEPROMC、RAMD、ROM

考题 逻辑电路包含各种存储器电路:()。A、SRAMB、EEPROMC、SDRAMD、FLASH

考题 可以通过紫外线擦除其中内容,并可以多次改写的ROM是()A、掩膜ROMB、EEPROMC、Flash MemoryD、EPROM

考题 下列ROM中主要用于存储主板、显卡BIOS并支持在线升级的是()。A、EPROMB、EEPROMC、PROMD、MROM

考题 可编程只读存储器PROM包含()。A、EPROMB、EEPROMC、PLAD、PAL

考题 用户程序存入()后运行时的掉电不会使程序丢失。A、EPROMB、RAMC、E2PROMD、ROM

考题 属于可擦除的只读存储器在断电情况下存储器内的所有内容保持不变(在紫外线连续照射下可擦除存储器内容)的是()。A、EPROMB、EEPROMC、RAMD、ROM

考题 下列属于非易失性存储器的是()A、DRAMB、SRAMC、PROMD、SDRAM

考题 BIOS的芯片类型是()A、RAMB、FLASH ROMC、PROMD、EPROM

考题 下列只读存储器中,可紫外线擦除数据的是()A、PROMB、EPROMC、Flash Memory

考题 可用紫外线擦除的存储器是()A、E2PROMB、EPROMC、RAMD、FLASH

考题 以下叙述中,不正确的是()。A、半导体存储器包括RAM和ROMB、Flash存储器是非易失性的C、Cache是高速缓存D、EPROM使用电擦除方式

考题 FLASH的中文含义是()。A、闪速存储器B、随机存储器C、只读存储器D、电可擦除可编程存储器

考题 存储器芯片内容通过紫外线州照射,可擦除所有信息,然后还可写入新的信息,并可多次使用的是()。A、EPROMB、PROMC、ROMD、CDROM

考题 下面哪一种存储介质写入数据后无法修改()。A、EPROMB、EEPROMC、PROMD、FlashROM

考题 在下列器件中,哪些器件需要用紫外线进行信息的擦除()。A、EPROMB、DRAMC、SRAMD、SAM

考题 掉电后信息消失的是()。A、顺序存取存储器B、ROMC、PROMD、FLASH

考题 存储器芯片内容通过紫外线州照射,可擦除所有信息,然后还可写入新的信息,并可多次使用的是()。A、EPROMB、PROMC、ROM