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在单级连续培养过程中,稀释率控制在临界稀释率以下,随着比生长速率提高下列说法正确的是()

  • A、细胞产率越高
  • B、限制性基质浓度越高
  • C、细胞浓度越低
  • D、细胞浓度越高

参考答案

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考题 连续培养反应器中物料的平均停留时间和稀释速率互为倒数。

考题 单级连续培养中,如果调整成D(稀释速率)μ(比生长速率),最终将发生“冲出”现象。

考题 临界稀释率

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考题 在温度T下,若将浓度为cB的某强电解质B的溶液稀释至浓度为(1/2)cB时,则稀释后的电解质溶液的电导率k(稀)()稀释前的溶液电导率k(浓);而摩尔电导率Λm(稀)()Λm(浓)。

考题 单选题补料-分批发酵过程中,随着发酵的进行()A 能够达到稳态B 比生长速率要小于稀释率C 能够达到准稳态D 不能达到准稳态

考题 问答题什么是连续培养?什么是连续培养的稀释率?

考题 判断题连续培养反应器中物料的平均停留时间和稀释速率互为倒数。A 对B 错

考题 判断题单级连续培养中,如果调整成D(稀释速率)μ(比生长速率),最终将发生“冲出”现象。A 对B 错

考题 判断题单级恒化器的稀释速率可以任意调整大小。A 对B 错

考题 名词解释题临界稀释率

考题 填空题连续发酵时临界稀释率Dcrit=()

考题 单选题在单级连续培养过程中,稀释率控制在临界稀释率以下,随着比生长速率提高下列说法正确的是()A 细胞产率越高B 限制性基质浓度越高C 细胞浓度越低D 细胞浓度越高