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漏磁场与()有关。

  • A、磁化的磁场强度与材料的磁导率
  • B、缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸
  • C、缺陷内的介质
  • D、A、B和C

参考答案

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考题 漏磁场强度的大小和缺陷的()及()有关。

考题 漏磁场与下列()因素有关。A、磁化的磁场强度与材料的磁导率B、缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸C、缺陷内的介质D、以上都是

考题 与漏磁场有关的因素有()A、磁化的磁场强度B、缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸C、缺陷内的介质D、材料的磁导率

考题 漏磁场的大小与外加磁场有关,当铁磁材料的磁感应强度达到饱和值80%左右时,漏磁场便会迅速增大。

考题 漏磁场强度的大小与试件内的磁感应强度大小有关。

考题 关于漏磁场的叙述,正确的是()A、缺陷漏磁场的大小与缺陷方向无关B、缺陷漏磁场的大小与缺陷方向有关C、缺陷平行于磁力线方向时,则漏磁场最大D、缺陷漏磁场的大小与磁力线方向无关

考题 当不连续()时,其漏磁场最强。A、与磁场成180°角B、与磁场成45°角C、与磁场成90°角D、与电场成90°角

考题 以下关于漏磁场的叙述中,错误的是()A、缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大B、漏磁场的大小与工件的材质无关C、漏磁场的大小与缺陷的深宽比有关D、工件表层下缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大

考题 下列关于漏磁场的叙述,正确的是()。A、内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B、缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C、表面缺陷的漏磁场,随离开表面的距离增大而急剧下降D、有缺陷的试件,才会产生漏磁场

考题 下面关于漏磁场的描述中,正确的是()A、与缺陷的深宽比有关B、内部缺陷所产生的漏磁场随缺陷埋藏深度的增加而加大C、漏磁场随着工件内磁感应强度的增加而减小D、缺陷平行于磁场方向时漏磁场最小E、A和D是对的

考题 漏磁场与下列哪些因素有关:()A、磁化的磁场强度与材料的磁导率B、缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸C、缺陷内的介质D、以上都是

考题 工件磁化后表面缺陷形成的漏磁场()A、与磁化电流的大小无关B、与磁化电流的大小有关C、当缺陷方向与磁化场方向之间的夹角为零时,漏磁场最大D、与工件的材料性质无关

考题 漏磁场与材料的()有关。

考题 漏磁场强度与下列()因素有关。A、 磁化的磁场强度与材料的导磁率B、 缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸C、 缺陷内部的介质D、 上述都是

考题 磁粉探伤中,工件中缺陷与漏磁场方向垂直时漏磁场强度最大。

考题 漏磁场与下列哪些因素有关()A、磁化的磁场强度与材料的磁导率B、缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸C、缺陷内的介质D、以上都不是

考题 工件中缺陷漏磁场强度与缺陷埋藏深度的关系是()。A、深度越大,漏磁场强度越高B、深度越小,漏磁场强度越低C、深度越小,漏磁场强度越高D、深度与漏磁场强度无关

考题 单选题工件磁化后表面缺陷形成的漏磁场()A 与磁化电流的大小无关B 与磁化电流的大小有关C 当缺陷方向与磁化场方向之间的夹角为零时,漏磁场最大D 与工件的材料性质无关

考题 单选题下面关于漏磁场的描述中,正确的是()A 与缺陷的深宽比有关B 内部缺陷所产生的漏磁场随缺陷埋藏深度的增加而加大C 漏磁场随着工件内磁感应强度的增加而减小D 缺陷平行于磁场方向时漏磁场最小E A和D是对的

考题 多选题与漏磁场有关的因素有()A磁化的磁场强度B缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸C缺陷内的介质D材料的磁导率

考题 单选题工件中缺陷漏磁场强度与缺陷埋藏深度的关系是()。A 深度越大,漏磁场强度越高B 深度越小,漏磁场强度越低C 深度越小,漏磁场强度越高D 深度与漏磁场强度无关

考题 单选题关于漏磁场的叙述,正确的是()A 缺陷漏磁场的大小与缺陷方向无关B 缺陷漏磁场的大小与缺陷方向有关C 缺陷平行于磁力线方向时,则漏磁场最大D 缺陷漏磁场的大小与磁力线方向无关

考题 单选题下列关于漏磁场的叙述,正确的是:()A 内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B 缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C 表面缺陷的漏磁场,随离开表面的距离增大而急剧下降D 有缺陷的试件,才会产生漏磁场

考题 单选题下列关于漏磁场的叙述中,正确的是()A 缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大B 漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C 漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关D 工件表层下,缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大

考题 判断题磁粉探伤中,工件中缺陷与漏磁场方向垂直时漏磁场强度最大。A 对B 错

考题 判断题漏磁场的大小与外加磁场有关,当铁磁材料的磁感应强度达到饱和值80%左右时,漏磁场便会迅速增大。A 对B 错

考题 多选题以下关于漏磁场的叙述中,错误的是()A缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大B漏磁场的大小与工件的材质无关C漏磁场的大小与缺陷的深宽比有关D工件表层下缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大