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关于漏磁场的叙述，正确的是（）
- A、缺陷漏磁场的大小与缺陷方向无关
- B、缺陷漏磁场的大小与缺陷方向有关
- C、缺陷平行于磁力线方向时，则漏磁场最大
- D、缺陷漏磁场的大小与磁力线方向无关
参考答案
更多 “关于漏磁场的叙述，正确的是（）A、缺陷漏磁场的大小与缺陷方向无关B、缺陷漏磁场的大小与缺陷方向有关C、缺陷平行于磁力线方向时，则漏磁场最大D、缺陷漏磁场的大小与磁力线方向无关” 相关考题
考题
关于直流电动机的电枢反应,下列叙述正确的是:()。
A、带负载时，电枢磁场对主磁场的影响B、空载时，电枢磁场对主磁场的影响C、空载时只有主磁场，无电枢反应D、空载时，主磁场对电枢磁场的影响
考题
关于磁场方向,叙述正确的是
A、逆磁场方向排列的质子是高能不稳态质子B、顺磁场方向排列的质子是高能稳态质子C、顺磁场方向排列的质子是高能不稳态质子D、逆磁场方向排列的质子是低能稳态质子E、逆磁场方向排列的质子是低能不稳态质子
考题
关于弛豫的叙述,正确的是A.纵向弛豫表示Z轴磁场的恢复B.Z轴磁场的下降称为纵向弛豫S
关于弛豫的叙述，正确的是A.纵向弛豫表示Z轴磁场的恢复B.Z轴磁场的下降称为纵向弛豫C.XY平面磁场的下降称为纵向弛豫D.XY平面磁场的增加称为纵向弛豫E.纵向弛豫就是T1值
考题
下列关于反磁场的叙述中，正确的是（）A、反磁场是由于工件磁化后形成磁极造成的B、L/D值越大，反磁场越强C、反磁场大小与工件形状无关D、将工件夹在电磁铁的两极间形成闭合磁路后，没有反磁场E、A和D是正确的
考题
以下关于漏磁场的叙述中，错误的是（）A、缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B、漏磁场的大小与工件的材质无关C、漏磁场的大小与缺陷的深宽比有关D、工件表层下缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
考题
下列关于漏磁场的叙述，正确的是（）。A、内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B、缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C、表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降D、有缺陷的试件，才会产生漏磁场
考题
下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A、缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B、漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C、漏磁场的大小与缺陷的深度比有关D、工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
考题
下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A、缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B、漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C、漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关D、工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
考题
下面关于漏磁场的描述中，正确的是（）A、与缺陷的深宽比有关B、内部缺陷所产生的漏磁场随缺陷埋藏深度的增加而加大C、漏磁场随着工件内磁感应强度的增加而减小D、缺陷平行于磁场方向时漏磁场最小E、A和D是对的
考题
单选题下面关于漏磁场的描述中，正确的是（）A
与缺陷的深宽比有关B
内部缺陷所产生的漏磁场随缺陷埋藏深度的增加而加大C
漏磁场随着工件内磁感应强度的增加而减小D
缺陷平行于磁场方向时漏磁场最小E
A和D是对的
考题
单选题关于显示说法正确的是（）。A
表面没有缺陷处看到的磁痕肯定是伪显示B
相关显示是由漏磁场吸附磁粉形成的磁痕显示，影响工件的使用性能C
非相关显示不是由漏磁场产生的，影响工件的使用性能D
伪显示不是由漏磁场产生的，影响工件的使用性能
考题
单选题下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）A
内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B
缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C
表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降D
有缺陷的试件，才会产生漏磁场
考题
单选题下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A
缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B
漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C
漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关D
工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
考题
单选题下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A
缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B
漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C
漏磁场的大小与缺陷的深度比有关D
工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
考题
单选题磁场是传递能量大媒介，直流电机的磁场包括（）A
主磁场、电枢磁场、气隙磁场B
主磁场、电枢磁场、合成磁场C
主磁场、电枢磁场、气隙磁场、漏磁通产生的漏磁场D
主磁场、电枢磁场、漏磁通产生的漏磁场
考题
单选题下列关于反磁场的叙述中，正确的是（）A
反磁场是由于工件磁化后形成磁极造成的B
L/D值越大，反磁场越强C
反磁场大小与工件形状无关D
将工件夹在电磁铁的两极间形成闭合磁路后，没有反磁场E
A和D是正确的
考题
多选题以下关于漏磁场的叙述中，错误的是（）A缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B漏磁场的大小与工件的材质无关C漏磁场的大小与缺陷的深宽比有关D工件表层下缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
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