考题
压电晶片的振动频率于晶片厚度有关。()
此题为判断题(对，错)。
考题
探头的近场长度求解公式是（）。（λ：波长；ｆ：频率；D://晶片直径，A：晶片半径）。
考题
晶片厚度和探头频率是相关的，晶片越厚则频率（）
考题
波束扩散角是晶片尺寸和传播介质中声波波长的函数并且随（）A、频率增加，晶片直径减小而减小B、频率或晶片直径减小而增大C、频率或晶片直径减小而减小D、频率增加，晶片直径减小而增大
考题
晶片厚度与晶片的频率密切相关，晶片厚度越厚，频率越低。
考题
压电晶片的两个工作面上积聚的电荷量与（）成正比。A、工作面的面积B、作用在晶片上的压强C、作用在晶片上的力D、晶片厚度
考题
半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。A、随频率增加、晶片尺寸减小而减小B、随频率或晶片尺寸减小而增大C、随频率或晶片尺寸减小而减小D、频率增加、晶片尺寸减小而增大
考题
聚焦探头的焦点尺寸与晶片直径、波长和焦距有关，晶片直径（），波长（），焦距（），则焦点小。
考题
波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数，并且（）A、频率或晶片直径减少时增大B、频率或晶片直径减少时减少C、频率增加而晶片直径减少时减少
考题
为得到较高的效率，要使晶片在共振状态下工作，此时晶片厚度为（）波长。A、1/2B、1/3C、1/4D、1/6
考题
（）是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率的增加、晶片直径的减小而增大。
考题
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的（）。它随频率的增加、晶片直径的减小而（）。
考题
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率增加、晶片直径减小而增大。
考题
超声波探头所选用压电晶片的频率与晶片厚度有密切关系，频率越高，晶片越薄。
考题
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率增加、晶片直径减小而增大
考题
探头的频率取决于（）。A、晶片的厚度B、晶片材料的声速C、晶片材料的声阻抗D、晶片材料的密度
考题
波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数，并且（）。A、频率或晶片直径减少时增大B、频率或晶片直径减少时减少C、频率增加而晶片直径减少时减少D、频率或晶片直径增大时增大
考题
超声波探头的压电晶片的振动频率与晶片厚度有什么关系？
考题
晶片厚度与其（）频率的乘积叫做频率常数。A、共振B、固有C、重复D、以上都不对
考题
单选题半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。A
随频率增加、晶片尺寸减小而减小B
随频率或晶片尺寸减小而增大C
随频率或晶片尺寸减小而减小D
频率增加、晶片尺寸减小而增大
考题
单选题波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数，并且（）A
频率或晶片直径减少时增大B
频率或晶片直径减少时减少C
频率增加而晶片直径减少时减少
考题
单选题晶片共振波长是晶片厚度的（）。A
2倍B
1/2倍C
1倍D
1/4倍
考题
填空题聚焦探头的焦点尺寸与晶片直径、波长和焦距有关，晶片直径（），波长（），焦距（），则焦点小。
考题
单选题波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数，并且（）。A
频率或晶片直径减少时增大B
频率或晶片直径减少时减少C
频率增加而晶片直径减少时减少D
频率或晶片直径增大时增大
考题
单选题探头的频率取决于（）。A
晶片的厚度B
晶片材料的声速C
晶片材料的声阻抗D
晶片材料的密度
考题
填空题晶片厚度和探头频率是相关的，晶片越厚则频率（）