网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

单晶的制备应从()。

  • A、稀溶液
  • B、浓溶液
  • C、稀溶液加搅拌

参考答案

更多 “单晶的制备应从()。A、稀溶液B、浓溶液C、稀溶液加搅拌” 相关考题
考题 硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

考题 叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。

考题 在金属间化合物的制备方法中,单晶化合物的制备方法与定向凝固法有何异同?

考题 简述单晶材料制备中定向凝固法原理。

考题 单晶材料制备中区域熔化法的原理。

考题 简述应变退火法制备铝单晶的几种工艺。

考题 如何选择单晶体的制备方法?

考题 球晶的制备应从()。A、稀溶液B、熔体C、高温高压下

考题 工业中单晶硅的制备方法主要有()和区熔法(FZ法)

考题 单晶硅锭的制备方法很多,目前国内外在生产中主要采用溶体直拉法和辉光放电法。

考题 用水热法制备二氧化硅单晶的原理是什么?写出其反应式和反应条件。

考题 下面哪种不是单晶硅的制备方法()。A、硅带法B、区熔法C、直拉单晶法D、磁拉法

考题 问答题简述应变退火法制备铝单晶的几种工艺。

考题 问答题列出从熔体制备单晶、非晶的常用方法有哪些?

考题 单选题硅片制备主要工艺流程是()A 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B 单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C 单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包

考题 问答题简述砷化镓单晶的主要制备方法。

考题 单选题单晶的制备应从()。A 稀溶液B 浓溶液C 稀溶液加搅拌

考题 问答题简述熔体制备单晶的方法,坩埚法和直拉法的过程细节。

考题 填空题硅单晶的()是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素,它们是三价的还是五价的,可以将单晶化分为P型和N型两大类。

考题 填空题提拉出合格的单晶硅棒后,还要经过()、()、()等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。

考题 问答题将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程?

考题 问答题简述单晶材料制备中定向凝固法原理。

考题 单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是()A 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B 单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D 单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包

考题 填空题集成电路用单晶硅的主要制备方法是()

考题 问答题在金属间化合物的制备方法中,单晶化合物的制备方法与定向凝固法有何异同?

考题 问答题简述单晶材料制备中高温溶液法基本原理。

考题 单选题制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是().A 汽-固B 液-固C 固-固D 汽-液