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ADD R0，R1，#1的含义是（）

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考题 已知ARM处理器进位标志C＝1, R1＝1000, R2＝99, 执行指令ADDC R0，R1，R2之后，R0＝___【13】____, R1=___【14】____。
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考题 以下ARM指令中属于寄存器间接寻址的指令是（）。A.TST R1,0xFEB.LDRB R1,[R2]C.MOV R1,R0,LSL3D.BIC R0,R0,0x0B
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考题 已经R0＝8000,R1＝8800,执行指令MOV R0,R1, LSR2后，R0＝___【13】____,R1=___【14】____。
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考题 已知R0＝0,R1＝10000，R2＝20000，指令ADD R0,R1,R2执行后，R0＝___【13】____,R1=___【14】____。
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考题 如果条件为负数，将R1指向的内存单元中8位数据加载到R0寄存器中，正确的ARM指令为：（）。A.LDRPL R0,[R1]B.LDRMI R0,[R0]C.LDRHMI R1,[R0]D.LDRBMI R0,[R1]
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考题 ADD R0,R1,[R2]属于（ ）。A.立即寻址B.寄存器间接寻址C.寄存器寻址D.基址变址寻址
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考题 以下是部分ARM汇编程序，该程序的执行结果是（ ）。AREA EXAMPLE2，CODE，READONLYENTYRstart MOV r0，#10 MOV r1，#3 BL DOADDdoadd ADD r0，r0，r1 ENDA.结果值13存放在R0寄存器中 B.结果值23存放在R1寄存器中 C.结果值13存放在LR寄存器中 D.结果值23存放在LR寄存器中
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考题 指令解析：ADD  R0，R0，#1
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考题 指令解析：ADD  R0，R1，[R2]
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考题 下列哪条指令把寄存器R1、R2的值相加后存到R0中.（）A、AND R0， R1， R2B、SUB R0， R1， R2C、ADD R0， R1， R2D、AND R1， R2， R0
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考题 ARM指令LDR R0，[R1，#4]!执行后，以下说法正确的是（）。A、R0中的值不变B、R1中的值不变C、内存中的值不变D、R0和R1中的值均不改变
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考题 执行ARM指令MOV R0，R1，LSL#3后，R0的值为（）。A、R1的3倍B、R1+3C、R1的8倍D、R1的8分之1
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考题 ARM处理器将R0中一个字的数据，存入由R1指示的内存区域，则使用的指令是（）。A、STR R0，[R1]B、LDR R0，[R1]C、STRH R0，[R1]D、STRB R0，[R1]
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考题 ADD R0，R1，#3属于（）寻址方式。A、立即寻址B、多寄存器寻址C、寄存器直接寻址D、相对寻址
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考题 阅读下列程序，回答问题： LDR R0， 0x22 LDR R1， 0x11 SUB R0， R0， R1 CMP R0， R1 执行上述程序后，CPSR的下列哪个标志位将发生变化（）A、 CB、 VC、 ZD、 以上都不对
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考题 当电源内阻为R0时，负载R1获得最大输出功率的条件是（）。A、R1＞R0；B、R1＜R0；C、R1=2R0；D、R1=R0。
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考题 金属导电环式结冰信号器的受感器中装有热敏电阻R0和加温电阻R1，当受感器感受的温度在0°以下时，在（）A、飞机未结冰时，R1通电而R0阻值减小B、飞机未结冰时，R1不通电而R0阻值增大C、飞机结冰时，R1通电而R0阻值保持不变D、飞机结冰时，R1不通电而R0阻值保持不变
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考题 当电源内阻为R0时，负载R1获得最大输出功率的条件是（）A、R1＞R0B、R1＜R0C、R1＝2R0D、R1＝R0
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考题 单选题ADD R0，R1，#3属于（）寻址方式。A  立即寻址B  多寄存器寻址C  寄存器直接寻址D  相对寻址
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考题 单选题以下ARM指令中属于寄存器间接寻址的指令是（）。A TST R1，#0xFEB LDRB R1，[R2]C MOV R1，R0，LSL#3D BIC R0，R0，#0x0B
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考题 填空题ADD R0，R1，#1的含义是（）
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考题 问答题指令解析：ADD  R0，R1，[R2]
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考题 单选题假设R1=0x31，R2=0x2则执行指令ADD R0，R1，R2LSL#3后，R0的值是（）A 0x33B 0x34C 0x39D 0x38
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考题 单选题阅读下列程序，回答问题： LDR R0， 0x22 LDR R1， 0x11 SUB R0， R0， R1 CMP R0， R1 执行这段程序后，R0的值为（）A  0x22B  0x33C  0x11D  0
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考题 单选题下列哪条指令把寄存器R1、R2的值相加后存到R0中.（）A AND R0， R1， R2B SUB R0， R1， R2C ADD R0， R1， R2D AND R1， R2， R0
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考题 单选题如果条件为负数，将R1指向的内存单元中8位数据加载到R0寄存器中，正确的ARM指令为（）。A LDRPL R0，[R1]B LDRMI R0，[R0]C LDRHMI R1，[R0]D LDRBMI R0，[R1]
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