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多选题
下述哪些可降低麻醉作用（）
A
使兴奋性突触后电位增加
B
使抑制性突触后电位增加
C
使兴奋性突触前膜去极化
D
使抑制性突触前膜去极化
E
使抑制性中间神经元兴奋性增加
参考答案
参考解析
解析：
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考题
对突触后抑制与突触前抑制特征比较的叙述,错误的是()
A、前者发生于突触后膜，后者发生于突触前膜B、前者中间神经元是抑制性的，后者中间神经元为兴奋性的C、前者为超极化抑制，后者为去极化抑制D、两者抑制都与IPSP有关E、两者最终均使突触后神经元抑制
考题
兴奋性与抑制性突触后电位的相同点是()
A、突触后膜去极化B、都可向远端传导C、都与突触后膜对Na+通透性增加有关D、出现“全或无”式电位变化E、递质使突触后膜对某些离子通透性改变的结果
考题
兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是（）。A、突触前膜均去极化B、突触后膜均去极化C、突触前膜释放的递质性质一样D、突触后膜对离子通透性一样E、产生的突触后电位的最终效应一样
考题
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A、Cl通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
考题
关于突触前抑制的正确描述是（）A、突触前神经元兴奋性降低，使突触后膜出现超极比电位B、突触前膜超极化，释放抑制性递质C、突触前膜去极化，兴奋性递质释放减少D、突触前膜去极化，释放抑制性递质
考题
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A、Cl-通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关
考题
多选题下列有关突触前抑制的叙述，正确的是：（）A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP（兴奋性突触后电位）幅度减小E引起突触后膜产生IPSP（抑制性突触后电位）幅度增大
考题
单选题关于突触前抑制的正确描述是（）A
突触前神经元兴奋性降低，使突触后膜出现超极比电位B
突触前膜超极化，释放抑制性递质C
突触前膜去极化，兴奋性递质释放减少D
突触前膜去极化，释放抑制性递质
考题
单选题关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A
Cl通道开放可降低IPSPB
多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C
IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D
IPSP使神经元的兴奋性增加E
IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
考题
单选题抑制性突触后电位（）A
由突触前末梢递质释放减少而引起B
使突触后膜电位远离阈电位水平C
由突触后膜Na+电导增加而产生D
由突触后膜Ca2+电导增加而产生E
是一种去极化抑制的突触后电位
考题
单选题下列哪些为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征（）。A
突触前膜均去极化B
突触后膜均去极化C
突触前膜释放的递质性质一样D
突触后膜对离子通透性一样
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