网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)
单选题
关于突触前抑制的正确描述是()
A

突触前神经元兴奋性降低,使突触后膜出现超极比电位

B

突触前膜超极化,释放抑制性递质

C

突触前膜去极化,兴奋性递质释放减少

D

突触前膜去极化,释放抑制性递质


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “单选题关于突触前抑制的正确描述是()A 突触前神经元兴奋性降低,使突触后膜出现超极比电位B 突触前膜超极化,释放抑制性递质C 突触前膜去极化,兴奋性递质释放减少D 突触前膜去极化,释放抑制性递质” 相关考题
考题 关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的A、持续时间长B、突触前膜去极化C、潜伏期较长D、通过轴突-轴突突触结构的活动来实现E、轴突末梢释放抑制性递质

考题 突触前抑制的论述中,正确的是() A、突触前膜超极化B、突触后膜超极化C、突触前膜去极化D、突触前膜释放抑制性递质E、潜伏期较短

考题 下列关于突触前抑制的叙述,错误的是A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短,持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动

考题 关于突触前抑制的论述,正确的是() A、突触前膜超极化B、突触后膜超极化C、突触前膜去极化D、突触前膜释放抑制性递质E、潜伏期较短

考题 关于突触前抑制的叙述,正确的是A、突触前膜超级化B、突触后膜超级化C、突触前膜去极化D、突触后膜去极化E、没有神经递质参与

考题 关于突触前抑制的描述,错误的是() A.中间兴奋性神经元兴奋B.突触后膜超极化C.突触前膜去极化D.突触前膜释放兴奋性递质E.突触前膜内递质耗竭

考题 下列突触前抑制的描述,哪个是不正确的A.突触前膜释放递质量减少B.一定有轴—轴突触存在C.突触前膜释放抑制性递质D.多见于感觉传入途径中

考题 关于突触前抑制的叙述,正确的是A.突触前膜超极化B.突触后膜超极化C.突触前膜去极化D.突触后膜去极化E.没有神经递质参与

考题 关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化 B.Ca由膜外进入突触前膜内 C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高 E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

考题 下列关于突触前抑制特点的描述,正确的是 A.以树突-树突式突触为结构基础 B.多见于运动传出通路中 C.潜伏期和持续时间均较长 D.因突触前膜发生超极化而产生

考题 关于突触前易化的产生,下列哪一描述是正确的? A.结构基础与突触前抑制完全不同 B.到达突触前末梢的动作电位频率高 C.有多个兴奋同时到达突触前末梢 D.进入突触前末梢内的增多

考题 关于抑制性突触后电位性质和机制的正确描述是( )。A.具有全或无性质 B.属去极化局部电位 C.由突触后膜对Na+通透性增加所致 D.属超极化局部电位 E.由突触前膜递质释放量减少所致

考题 下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,错误的是( )。A. B.突触前末梢去极化 C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合 D. E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

考题 下列关于突触前抑制特点的描述,正确的是( )A.以树突一树突式突触为结构基础 B.多见于运动传出通路中 C.潜伏期和持续时间均较长 D.因突触前膜发生超极化而产生

考题 关于突触的描述正确的是()A由突触前膜,突触后膜和突触间隙组成B是传递神经信息的功能结构C分为树突和轴突D分为电突触和化学突触

考题 关于突触后抑制正确的叙述有()A、可分为回返性抑制和传人侧支性抑制两种B、是由突触前末梢释放抑制性递质引起的C、突触后膜产生IPSPD、突触后膜产生EPSPE、一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制

考题 关于突触前抑制的正确描述是()A、突触前神经元兴奋性降低,使突触后膜出现超极比电位B、突触前膜超极化,释放抑制性递质C、突触前膜去极化,兴奋性递质释放减少D、突触前膜去极化,释放抑制性递质

考题 突触前膜抑制产生的原因是()A、突触前膜预先去极化B、突触前膜预先超极化C、突触前膜预先抑制D、突触前膜预先发生兴奋E、突触前膜预先由兴奋变为抑制

考题 关于突触前易化的产生,正确的描述是()A、突触前膜钾通道通透性增高B、到达末梢的动作电位频率增高C、多个兴奋同时到达突触前末梢D、突触前末梢递质释放增多E、突触后膜多个EPSP发生总和

考题 多选题关于突触的描述正确的是()A由突触前膜,突触后膜和突触间隙组成B是传递神经信息的功能结构C分为树突和轴突D分为电突触和化学突触

考题 多选题关于突触后抑制正确的叙述有()A可分为回返性抑制和传人侧支性抑制两种B是由突触前末梢释放抑制性递质引起的C突触后膜产生IPSPD突触后膜产生EPSPE一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制

考题 单选题关于突触前易化的产生,正确的描述是()A 突触前膜钾通道通透性增高B 到达末梢的动作电位频率增高C 多个兴奋同时到达突触前末梢D 突触前末梢递质释放增多E 突触后膜多个EPSP发生总和

考题 单选题关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的()A 持续时间长B 突触前膜去极化C 潜伏期较长D 通过轴突-轴突突触结构的活动来实现E 轴突末梢释放抑制性递质

考题 单选题关于突触前抑制的叙述,正确的是()。A 突触前膜超极化B 突触后膜超极化C 突触前膜去极化D 突触前膜释放抑制性递质E 潜伏期较短

考题 单选题关于突触前抑制的叙述,正确的是()A 突触前膜超极化B 突触后膜超极化C 突触前膜去极化D 突触后膜去极化E 没有神经递质参与

考题 多选题下列关于突触前抑制的叙述,错误的是()A突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D潜伏期短,持续时间短E可调节控制感觉信息的传入活动

考题 单选题关于突触前易化的产生,下列哪一描述是正确的?(  )A 结构基础与突触前抑制不同B 到达突触前末梢的动作电位频率高C 有多个兴奋同时到达突触前末梢D 进人突触前末梢内Ca2+增多E 突触后膜有多个EPSP发生总和