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题目内容
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单选题
关于突触前抑制的正确描述是()
A
突触前神经元兴奋性降低,使突触后膜出现超极比电位
B
突触前膜超极化,释放抑制性递质
C
突触前膜去极化,兴奋性递质释放减少
D
突触前膜去极化,释放抑制性递质
参考答案
参考解析
解析:
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考题
下列关于突触前抑制的叙述,错误的是A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短,持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动
考题
关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化
B.Ca由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
考题
关于抑制性突触后电位性质和机制的正确描述是( )。A.具有全或无性质
B.属去极化局部电位
C.由突触后膜对Na+通透性增加所致
D.属超极化局部电位
E.由突触前膜递质释放量减少所致
考题
下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,错误的是( )。A.
B.突触前末梢去极化
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
考题
关于突触后抑制正确的叙述有()A、可分为回返性抑制和传人侧支性抑制两种B、是由突触前末梢释放抑制性递质引起的C、突触后膜产生IPSPD、突触后膜产生EPSPE、一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制
考题
关于突触前抑制的正确描述是()A、突触前神经元兴奋性降低,使突触后膜出现超极比电位B、突触前膜超极化,释放抑制性递质C、突触前膜去极化,兴奋性递质释放减少D、突触前膜去极化,释放抑制性递质
考题
关于突触前易化的产生,正确的描述是()A、突触前膜钾通道通透性增高B、到达末梢的动作电位频率增高C、多个兴奋同时到达突触前末梢D、突触前末梢递质释放增多E、突触后膜多个EPSP发生总和
考题
多选题关于突触后抑制正确的叙述有()A可分为回返性抑制和传人侧支性抑制两种B是由突触前末梢释放抑制性递质引起的C突触后膜产生IPSPD突触后膜产生EPSPE一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制
考题
单选题关于突触前易化的产生,正确的描述是()A
突触前膜钾通道通透性增高B
到达末梢的动作电位频率增高C
多个兴奋同时到达突触前末梢D
突触前末梢递质释放增多E
突触后膜多个EPSP发生总和
考题
多选题下列关于突触前抑制的叙述,错误的是()A突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D潜伏期短,持续时间短E可调节控制感觉信息的传入活动
考题
单选题关于突触前易化的产生,下列哪一描述是正确的?( )A
结构基础与突触前抑制不同B
到达突触前末梢的动作电位频率高C
有多个兴奋同时到达突触前末梢D
进人突触前末梢内Ca2+增多E
突触后膜有多个EPSP发生总和
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