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单选题
非晶硒平板探测器储存信息的元件是()
A

TFT

B

a-Se

C

CsI

D

A/D转换器

E

储能电容


参考答案

参考解析
解析: 非晶硒产生的电荷存储在电容中
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考题 关于DR探测器的类型,错误的是A.非晶硒平板型探测器B.非晶硅平板型探测器C.碘化铯平板型探测器D.多丝正比室扫描DRE.CCD摄像机型DR

考题 属于DR成像直接转换方式的是A.非晶硒平板探测器B.碘化铯+非晶硅平板探测器C.利用影像板进行X线摄影D.固定IP+CCD摄像机阵列E.硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

考题 属于DR成像直接转换方式的是()A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

考题 非晶硒平板探测器的结构主要包括()、()、()和()四部分。

考题 属于DR成像间接转换方式的部件是()A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室

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考题 有信息丢失的危险且网络连接能力低的数字影像信息获取方式是()A、胶片数字化仪(FilmDigitizer)B、计算机X线摄影(ComputedRadiography,CR)C、电荷耦合器(charge-coupleddevice,CCD.技术D、碘化铯/非晶硅平板探测器(a-Si)E、非晶硒平板探测器(a-SE.

考题 非晶硒平板探测器储存信息的元件是()A、TFTB、a-SeC、CsID、A/D转换器E、储能电容

考题 非晶硒平板型探测器储存信息的元件是()A、TFTB、a-SeC、CSID、A/D转换器E、储能电容

考题 单选题非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器的区别在于(  )。A 信号读出B 荧光材料层和探测元阵列层的不同C A/D转换D 信号输出E 信号放大

考题 多选题DR使用过的平板探测器材质是()A非晶硒B碘化铯非晶硅C氧化钆非晶硅

考题 单选题直接转换型平板探测器中,存储电流信号的元件是(  )。A 极间电容B 光电二极管C 场效应管D 模数转换器E 非晶硒层

考题 多选题数字平板探测器主要分为(  )。A非晶硅B非晶硒CCCDDCREDR

考题 多选题目前DSA设备图像检测探测器主要有()。A影像增强器系统结合电荷耦合器件的探测器B非晶硅平板探测器C非晶硒平板探测器D阴极射线管E影像增强器

考题 单选题GE悬吊无线平板探测器材质是()A 非晶硒B 碘化铯非晶硅C 氧化钆非晶硅D CCD

考题 单选题下列探测器产生的图像质量由好到坏的排序是(  )。A 非晶硅-非晶硒-CCDB CCD-非晶硅-非晶硒C 非晶硒-非晶硅-CCDD 非晶硅-CCD-非晶硒E CCD-非晶硒-非晶硅

考题 单选题有信息丢失的危险且网络连接能力低的数字影像信息获取方式是()A 胶片数字化仪(FilmDigitizer)B 计算机X线摄影(ComputedRadiography,CR)C 电荷耦合器(charge-coupleddevice,CCD.技术D 碘化铯/非晶硅平板探测器(a-Si)E 非晶硒平板探测器(a-SE.

考题 单选题下列哪个是直接成像的平板探测器?(  )A 非晶硅B 碘化铯C 二极管D 闪烁晶体E 非晶硒

考题 多选题DR成像设备类型包括()。A非晶硒平板型探测器B非晶硅平板探测器型CIP成像方式D多丝正比室扫描投影DRECCD摄像机型DR

考题 单选题非晶硒平板探测器储存信息的元件是()A TFTB a-SeC CsID A/D转换器E 储能电容

考题 单选题下列不属于X线数字影像的获取或转换的方式的是(  )。A 胶片数字扫描仪B 计算机X线摄影C 碘化铯/非晶硅平板探测器D 非晶硒平板探测器E MRI

考题 填空题非晶硒平板探测器的结构主要包括()、()、()和()四部分。

考题 单选题目前最常用的DR系统为(  )。A CsI+CCD阵列B 非晶硅平板探测器C 非晶硒平板探测器D 多丝正比电离室E 计算机X线摄影

考题 单选题属于DR成像直接转换方式的是()A 非晶硒平扳探测器B 碘化铯+非晶硅平扳探测器C 利用影像板进行X线摄影D 闪烁体+CCD摄像机阵列E 硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

考题 单选题非晶硒平板型探测器储存信息的元件是()A TFTB a-SeC CSID A/D转换器E 储能电容

考题 单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是(  )。A 闪烁体B 非晶硒平板探测器C CCD摄像机阵列D 碘化铯+非晶硅探测器E 半导体狭缝线阵列探测器

考题 单选题DiscoveryXR656和飞天V无线平板探测器材质是()A 非晶硒B 碘化铯非晶硅C 氧化钆非晶硅D CCD