网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：
题目内容
（请给出正确答案）
问答题
试比较硅整流二极管与硅光电二极管的伏安特性曲线，说明它们的差异。
参考答案
参考解析
解析：
暂无解析
更多 “问答题试比较硅整流二极管与硅光电二极管的伏安特性曲线，说明它们的差异。” 相关考题
考题
单选题非晶硅平板探测器基本结构为（ ）。A
碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路B
碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路C
硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路D
非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路E
碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路
考题
单选题“光电二极管与光电池相比较，其特性有所不同，下列的说法不不正确的是（）A
它们的掺杂浓度不同，光电池掺杂浓度较低，而光电二极管掺杂浓度高B
它们的电阻率不同，光电池的电阻率低C
工作电压偏置条件不同，光电池通常在零偏置下工作，而硅光电二极管通常在反向偏置下工作D
它们的光电流的大小不同，硅光电二极管的光电流小得多，通常在微安级
考题
判断题硅整流二极管的特性是单向导电。A
对B
错
热门标签
最新试卷