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填空题
磁粉探伤中，周向磁化可采用直接通电法、（）法和支杆法（）。对零件所施加的磁场强度值，用连续法时比用剩磁法时要（）
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考题
下列关于施加磁粉的叙述中，正确的是：（）A、将磁悬液施加于探伤面上，浇注压力尽可能大一些B、剩磁法是在通磁化电流时施加磁粉的C、用剩磁法时，在施加磁粉的操作结束以前，探伤面不得与铁磁物体的接触D、连续法适用于检出螺纹部分的周向缺陷
考题
下列关于施加磁粉的叙述中，正确的是（）A、将磁悬液施加于探伤面上，尽可能压力大一些浇注B、用剩磁时，是在通磁化电流时施加磁粉的C、用剩磁法时，在施加磁粉的操作结束以前，探伤面上不得与铁磁物体接触D、连续法适用于检出螺纹部分的周向缺陷
考题
对三个直径为30mm、长为50mm、有周向缺陷的圆柱形零件进行磁粉探伤时，正确的工艺是（）A、将三个零件沿轴向连接在一起，平行于线圈轴线置于线圈内缘，用连续法施加磁粉，先取中间一个观察，然后再将端部的一个换入，重复探伤B、将单个零件放入线圈中央，用连续法施加磁粉，逐个检查C、将三个零件沿轴向连接在一起，用轴向通电法磁化，用连续法进行探伤D、逐个用轴向通电法，完全连续法探伤
考题
以下关于磁粉检测方法的解释，正确的是（）A、湿法：探伤时施加经适当媒质分散的磁粉B、干法：探伤时施加经过干燥的磁粉C、连续法：切断电流后才施加磁粉D、剩磁法：一面施加磁化磁场，一面施加磁粉
考题
下列关于施加磁粉的叙述中，正确的是（）。A、将磁悬液施加于检测面上，浇注压力尽可能大一些B、剩磁法是在通磁化电流时施加磁粉的C、用剩磁法时，在施加磁粉的操作结束以前，检测面不得与铁磁物体接触D、连续法适用于检出螺纹部分的周向缺陷
考题
下列关于剩磁法磁粉探伤的叙述，哪一条是错误的：（）A、切断磁化电流后施加磁悬液的方法叫作剩磁法B、高矫顽力材料制成的零件可以用剩磁法探伤C、剩磁法一般采用干法检验D、剩磁法对近表面缺陷检出灵敏度低
考题
对3个直径为30mm、长为50mm，有周向缺陷的圆柱体试件进行磁粉探伤时，正确的操作工艺是（）。A、将3个试件沿轴向连接在一起，平行于线圈轴置入线圈中。用连续法施加磁粉，先取中间的试件进行观察，然后再将端部的一个换入中间，重复进行探伤B、将单个试件放入线圈中央，用连续法施加磁粉进行观察C、把3个试件沿轴向连接在一起，用轴向通电法磁化，用连续法进行探伤D、单个用轴向通电法磁化，连续法进行探伤
考题
下列关于磁粉探伤的叙述，正确的是（）A、切断磁化电流后施加磁悬液的方法叫作剩磁法B、高矫顽力材料制成的零件可以用剩磁法探伤C、荧光磁粉与非荧光磁粉相比，一般说前者的磁悬液浓度要低D、以上都对
考题
单选题对三个直径为30mm、长为50mm、有周向缺陷的圆柱形零件进行磁粉探伤时，正确的工艺是（）A
将三个零件沿轴向连接在一起，平行于线圈轴线置于线圈内缘，用连续法施加磁粉，先取中间一个观察，然后再将端部的一个换入，重复探伤B
将单个零件放入线圈中央，用连续法施加磁粉，逐个检查C
将三个零件沿轴向连接在一起，用轴向通电法磁化，用连续法进行探伤D
逐个用轴向通电法，完全连续法探伤
考题
单选题下列关于磁粉探伤的叙述，正确的是（）A
切断磁化电流后施加磁悬液的方法叫作剩磁法B
高矫顽力材料制成的零件可以用剩磁法探伤C
荧光磁粉与非荧光磁粉相比，一般说前者的磁悬液浓度要低D
以上都对
考题
多选题以下关于磁粉检测方法的解释，正确的是（）A湿法：探伤时施加经适当媒质分散的磁粉B干法：探伤时施加经过干燥的磁粉C连续法：切断电流后才施加磁粉D剩磁法：一面施加磁化磁场，一面施加磁粉
考题
单选题下列关于剩磁法磁粉探伤的叙述，哪一条是错误的：（）A
切断磁化电流后施加磁悬液的方法叫作剩磁法B
高矫顽力材料制成的零件可以用剩磁法探伤C
剩磁法一般采用干法检验D
剩磁法对近表面缺陷检出灵敏度低
考题
单选题下列关于施加磁粉的叙述中，正确的是（）。A
将磁悬液施加于检测面上，浇注压力尽可能大一些B
剩磁法是在通磁化电流时施加磁粉的C
用剩磁法时，在施加磁粉的操作结束以前，检测面不得与铁磁物体接触D
连续法适用于检出螺纹部分的周向缺陷
考题
单选题下列关于施加磁粉的叙述中，正确的是：（）A
将磁悬液施加于探伤面上，浇注压力尽可能大一些B
剩磁法是在通磁化电流时施加磁粉的C
用剩磁法时，在施加磁粉的操作结束以前，探伤面不得与铁磁物体的接触D
连续法适用于检出螺纹部分的周向缺陷
考题
单选题下列关于施加磁粉的叙述中，正确的是（）A
将磁悬液施加于探伤面上，尽可能压力大一些浇注B
用剩磁时，是在通磁化电流时施加磁粉的C
用剩磁法时，在施加磁粉的操作结束以前，探伤面上不得与铁磁物体接触D
连续法适用于检出螺纹部分的周向缺陷
考题
单选题磁力探伤时，施加的磁场强度值应该是（）A
连续法比剩磁法要小B
在磁场作用范围内，试件越短，施加的磁场强度越小C
按试件的磁特性而有所不同D
A和C
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