考题
熄灭电弧的条件()
A.使触头闸间电弧中的去游离率大于游离率B.使触头闸间电弧中的去游离率大于游离率C.升高温度使电弧中的热游离增强D.降低温度使电弧中的正负离子减少
考题
采用特殊金属材料作为灭弧触头的原理是（ ）。A.降温、进而抑制电弧
B.增强介质去游离能力
C.抑制游离作用
D.加快离子扩散和复合
考题
采用特殊金属材料作灭弧触头原理是（）。A降温，进而抑制电弧B增强介质去游离能力C抑制游离作用D加快离子扩散和复合
考题
影响去游离的因素有（）A、介质特性B、热电子发射C、冷却电弧D、气体介质的压力E、触头材料F、阴极电压
考题
断路器中，熔点高，导热系数和热容量大得耐高温金属作触头材料，可以减少热电子发射和电弧中的金属蒸汽，抑制（）作用。
考题
要使电弧熄灭，必须使触头间电弧中的去游离率大于游离率。
考题
断路器采用热容量大、热传导力强、耐高温、不易发射电子、不因熔化而产生金属蒸气的金属材料制做触头。
考题
触头间出现电弧后，最主要的游离过程是（）。A、阴极冷发射B、阴极热发射C、累积游离D、热游离
考题
影响去游离过程的因素与触头间隙的介质种类有关：分子量大、化学性能稳定的介质易复合；分子量小、化学性能不稳定的介质不易复合。
考题
影响去游离过程的因素与触头材料有关：触头材料的热容量大，导热系数大，不易产生热电子发射，使游离过程减弱，易复合。
考题
电弧形成的过程分为几个阶段（）A、去游离B、热电子发射C、强电场发射D、碰撞游离E、热游离F、扩散与复合
考题
影响去游离过程的因素与触头间电场的强弱有关，电场弱，复合过程强；电场强，复合过程弱。
考题
真空断路器触头开断过程中，主要依靠（）形成电弧。A、触头产生的金属蒸汽B、触头间隙介质的碰撞游离C、触头间隙介质的热游离D、触头间隙介质的碰撞游离和触头间隙介质的热游离
考题
在触头间产生的碰撞游离，主要发生在（）。A、断路器触头分离的初期B、断路器触头分离的中期C、断路器触头分离的后期D、断路器触头分离的整个过程之中
考题
电弧中的去游离过程大于游离过程，使电弧中的中性质点增加，带电质点减少，达到一定程度时，触头间隙由良好的导电状态变为绝缘状态则电弧（）。
考题
断路器的触头材料对灭弧影响很大，触头应采用（）的金属材料。A、熔点高B、导热能力强C、热容量大D、熔点低E、导热能一般F、热容量小
考题
断路器的触头应采用（）的材料制成。A、熔点低B、熔点高C、导热能力强D、热容量大
考题
要使电弧熄灭，必须使触头间电弧中离子的（）。A、去游离率大于游离率；B、去游离率等于游离率；C、去游离率小于游离率。
考题
判断题触头材料的导热系数不能过低，否则，将减弱触头开断大电流的能力。A
对B
错
考题
单选题真空断路器触头开断过程中，主要依靠（）形成电弧。A
触头产生的金属蒸汽B
触头间隙介质的碰撞游离C
触头间隙介质的热游离D
触头间隙介质的碰撞游离和触头间隙介质的热游离
考题
判断题影响去游离过程的因素与触头间隙的介质种类有关：分子量大、化学性能稳定的介质不易复合；分子量小、化学性能不稳定的介质容易复合。A
对B
错
考题
判断题影响去游离过程的因素与触头材料有关：触头材料的热容量大，导热系数大，容易产生热电子发射，使游离过程加强，不易复合。A
对B
错
考题
判断题影响去游离过程的因素与触头间电场的强弱有关，电场强，复合过程强；电场弱，复合过程弱。A
对B
错
考题
单选题触头间出现电弧后，最主要的游离过程是（）。A
阴极冷发射B
阴极热发射C
累积游离D
热游离
考题
判断题影响去游离过程的因素与触头材料有关：触头材料的热容量大，导热系数大，不易产生热电子发射，使游离过程减弱，易复合。A
对B
错
考题
多选题电弧形成的过程分为几个阶段（）A去游离B热电子发射C强电场发射D碰撞游离E热游离F扩散与复合
考题
多选题影响去游离的因素有（）A介质特性B热电子发射C冷却电弧D气体介质的压力E触头材料F阴极电压
考题
判断题影响去游离过程的因素与触头间隙的介质种类有关：分子量大、化学性能稳定的介质易复合；分子量小、化学性能不稳定的介质不易复合。A
对B
错