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填空题
1HNMR化学位移δ值范围约为()。

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考题 香豆素的1hnmr中化学位移3.8~4.0处出现单峰,说明结构中含有甲基。()

考题 醛类化合物的醛基质子在1HNMR谱中的化学位移值(δ)一般应为()。 A、9~10ppmB、6~7ppmC、10~13ppmD、2.5~1.5ppm

考题 苯、乙烯、乙炔、甲醛,其1H化学位移值最大的是(),最小的是乙炔,13C的化学位移值最大的是甲醛最小的是乙炔。

考题 1HNMR谱图中提供的结构信息参数有A.化学位移B.分子量C.峰面积D.质荷比E.信号的裂分及偶合常数

考题 核磁共振氢谱中,化学位移值的范围是A、51~60B、41~50C、31~40D、21~30E、0~20

考题 核磁共振氢谱中,化学位移值的范围是A.51~60 B.21~30 C.31~40 D.41~50 E.0~20

考题 简单香豆素母核上的1H-NMR特征有A:H-3的化学位移值为6.1~6.4B:H-4的化学位移值为7.5~8.3C:H-3的化学位移值为7.0~7.5D:H-4的化学位移值为6.5~7.0E:H-3和H-4的偶合常数(J)约为9Hz

考题 13CNMR化学位移δ值范围约为()。

考题 关于化学位移伪影的叙述,正确的是()A、脂肪质子比水质子的共振频率高3.5ppmB、在1.5T时,它约为225HzC、在1.5T时,它约为230HzD、在1.5T、32kHz的带宽和256×256矩阵时,它约为2个像素E、化学位移伪影为条带状

考题 在核磁共振波谱分析中,当质子核外的电子云密度增加时()A、屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在高场出现B、屏蔽效应减弱,化学位移值大,峰在高场出现C、屏蔽效应增强,化学位移值小,峰在高场出现D、屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在低场出现

考题 1HNMR化学位移δ值范围约为()。

考题 共振吸收将出现在下列的哪种位置?()A、扫场下的高场和扫频下的高频,较小的化学位移值(δ)B、扫场下的高场和扫频下的低频,较小的化学位移值(δ)C、扫场下的低场和扫频下的高频,较大的化学位移值(δ)D、扫场下的低场和扫频下的低频,较大的化学位移值(δ)

考题 香豆素的1HNMR中化学位移3.8~4.0处出现单峰,说明结构中含有()A、羟基B、甲基C、甲氧基D、羟甲基E、醛基

考题 核磁共振的化学位移是由于()而造成的;化学位移值是以()为相对标准制定出来的。

考题 苷的碳端基碳质子的化学位移在()范围。

考题 氢键对质子的化学位移影响较大,所以活泼氢的化学位移在一定的范围内变化。

考题 氢键对质子的化学位移影响较大,所以活泼氢的化学位移在一定范围内变化。

考题 下面有关化学位移描述正确的是()。A、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值小B、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值大C、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值小D、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值大

考题 判断题氢键对质子的化学位移影响较大,所以活泼氢的化学位移在一定范围内变化。A 对B 错

考题 单选题下面有关化学位移描述正确的是()。A 质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值小B 质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值大C 质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值小D 质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值大

考题 填空题苯、乙烯、乙炔、甲醛,其1H化学位移值最大的是(),最小的是乙炔,13C的化学位移值最大的是甲醛最小的是乙炔。

考题 判断题氢键对质子的化学位移影响较大,所以活泼氢的化学位移在一定的范围内变化。A 对B 错

考题 填空题核磁共振的化学位移是由于()而造成的;化学位移值是以()为相对标准制定出来的。

考题 单选题香豆素的1HNMR中化学位移3.8~4.0处出现单峰,说明结构中含有()A 羟基B 甲基C 甲氧基D 羟甲基E 醛基

考题 单选题共振吸收将出现在下列的哪种位置?()A 扫场下的高场和扫频下的高频,较小的化学位移值(δ)B 扫场下的高场和扫频下的低频,较小的化学位移值(δ)C 扫场下的低场和扫频下的高频,较大的化学位移值(δ)D 扫场下的低场和扫频下的低频,较大的化学位移值(δ)

考题 填空题13CNMR化学位移δ值范围约为()。

考题 单选题在相同的化学环境变化下,俄歇峰化学位移与光电子峰化学位移值关系是()A 俄歇位移光电子位移B 俄歇位移光电子位移C 俄歇位移=光电子位移D 无规律可循