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填空题
1HNMR化学位移δ值范围约为()。
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考题
简单香豆素母核上的1H-NMR特征有A:H-3的化学位移值为6.1~6.4B:H-4的化学位移值为7.5~8.3C:H-3的化学位移值为7.0~7.5D:H-4的化学位移值为6.5~7.0E:H-3和H-4的偶合常数(J)约为9Hz
考题
关于化学位移伪影的叙述,正确的是()A、脂肪质子比水质子的共振频率高3.5ppmB、在1.5T时,它约为225HzC、在1.5T时,它约为230HzD、在1.5T、32kHz的带宽和256×256矩阵时,它约为2个像素E、化学位移伪影为条带状
考题
在核磁共振波谱分析中,当质子核外的电子云密度增加时()A、屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在高场出现B、屏蔽效应减弱,化学位移值大,峰在高场出现C、屏蔽效应增强,化学位移值小,峰在高场出现D、屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在低场出现
考题
共振吸收将出现在下列的哪种位置?()A、扫场下的高场和扫频下的高频,较小的化学位移值(δ)B、扫场下的高场和扫频下的低频,较小的化学位移值(δ)C、扫场下的低场和扫频下的高频,较大的化学位移值(δ)D、扫场下的低场和扫频下的低频,较大的化学位移值(δ)
考题
下面有关化学位移描述正确的是()。A、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值小B、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值大C、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值小D、质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值大
考题
单选题下面有关化学位移描述正确的是()。A
质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值小B
质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值大C
质子受到的屏蔽增大,共振频率移向低场,化学位移δ值小D
质子受到的屏蔽增大,共振频率移向高场,化学位移δ值大
考题
单选题共振吸收将出现在下列的哪种位置?()A
扫场下的高场和扫频下的高频,较小的化学位移值(δ)B
扫场下的高场和扫频下的低频,较小的化学位移值(δ)C
扫场下的低场和扫频下的高频,较大的化学位移值(δ)D
扫场下的低场和扫频下的低频,较大的化学位移值(δ)
考题
单选题在相同的化学环境变化下,俄歇峰化学位移与光电子峰化学位移值关系是()A
俄歇位移光电子位移B
俄歇位移光电子位移C
俄歇位移=光电子位移D
无规律可循
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