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单选题
共振吸收将出现在下列的哪种位置？（）
A
扫场下的高场和扫频下的高频，较小的化学位移值（δ）
B
扫场下的高场和扫频下的低频，较小的化学位移值（δ）
C
扫场下的低场和扫频下的高频，较大的化学位移值（δ）
D
扫场下的低场和扫频下的低频，较大的化学位移值（δ）
参考答案
参考解析
解析：
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考题
DT测试过程中,TEMS手机在扫频的工作模式下,下面()设置的情况下,被扫频的“频率集合”是动态变化的。
A.扫频所有频道B.扫频指定半径内的频率集C.扫频指定手机的邻频D.扫频指定的频率集合
考题
吹扫与清洗按设计要求描述吹扫与清洗方法和介质,其种类包括哪些()。
A、水冲洗、空气吹扫、蒸汽冲洗、化学清洗B、水冲洗、空气吹扫、蒸汽吹扫、化学冲洗C、水冲洗、空气吹扫、蒸汽吹扫、化学清洗D、水清洗洗、空气吹扫、蒸汽吹扫、化学清洗
考题
干扰排查过程中,下列操作正确的是()
A.使用定向天线连接扫频仪进行室外扫频B.使用全向天线连接扫频仪进行室外扫频C.将功放直接连到扫频仪进行功放的杂散测试D.将馈线口直接连到扫频仪上进行测试
考题
新版TEMS的特点有（） A、广泛的测试手机支持能力B、MS的行为可控制性，丰富的语音及数据业务命令行支持功能C、可用内部扫频器或外部扫频器（TEMS扫频器）进行扫频D、广泛的数据业务支持功能E、话音质量索引（SQI）
考题
在核磁共振波谱中，如果一组1H受到核外电子的屏蔽效应较小，则它的共振吸收将出现在下列的哪种位置？（）A、扫场下的高场和扫频下的高频，较小的化学位移值（δ）B、扫场下的高场和扫频下的低频，较小的化学位移值（δ）C、扫场下的低场和扫频下的高频，较大的化学位移值（δ）D、扫场下的低场和扫频下的低频，较大的化学位移值（δ）
考题
NMR分析中，质子核外电子云密度大的则（）。A、屏蔽效应较弱，相对化学位移较大，共振峰出现在高场B、屏蔽效应较强，相对化学位移较小，共振峰出现在高场C、屏蔽效应较强，相对化学位移较大，共振峰出现在低场D、屏蔽效应较强，相对化学位移较大，共振峰出现在高场
考题
在核磁共振波谱分析中，当质子核外的电子云密度增加时（）A、屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在高场出现B、屏蔽效应减弱，化学位移值大，峰在高场出现C、屏蔽效应增强，化学位移值小，峰在高场出现D、屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在低场出现
考题
共振吸收将出现在下列的哪种位置？（）A、扫场下的高场和扫频下的高频，较小的化学位移值（δ）B、扫场下的高场和扫频下的低频，较小的化学位移值（δ）C、扫场下的低场和扫频下的高频，较大的化学位移值（δ）D、扫场下的低场和扫频下的低频，较大的化学位移值（δ）
考题
TD-LTE路测中，如路测采集系统发现信号很弱，通过扫频仪扫频也发现信号很弱接近-126dB，下面说法正确的是（）。A、基站可能有故障；B、终端测量信号很弱时可用扫频仪确认；C、扫频仪测试不依赖网络，故测试结果更可信；D、扫频仪测试不准。
考题
下面有关化学位移描述正确的是（）。A、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值小B、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值大C、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值小D、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值大
考题
单选题下面有关化学位移描述正确的是（）。A
质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值小B
质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值大C
质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值小D
质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值大
考题
多选题TD-LTE路测中，如路测采集系统发现信号很弱，通过扫频仪扫频也发现信号很弱接近-126dB，下面说法正确的是（ ）A基站可能有故障B终端测量信号很弱时可用扫频仪确认C扫频仪测试不依赖网络，故测试结果更可信D扫频仪测试不准
考题
多选题新版TEMS的特点有（）A广泛的测试手机支持能力BMS的行为可控制性，丰富的语音及数据业务命令行支持功能C可用内部扫频器或外部扫频器（TEMS扫频器）进行扫频D广泛的数据业务支持功能E话音质量索引（SQI）
考题
单选题在核磁共振波谱分析中，当质子核外的电子云密度增加时（）A
屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在高场出现B
屏蔽效应减弱，化学位移值大，峰在高场出现C
屏蔽效应增强，化学位移值小，峰在高场出现D
屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在低场出现
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