考题
在氨合成反应宏观动力学的表面反应过程中,控制表面反应的步骤是()
A、氮气的活性吸附B、氢气的活性吸附C、生成氨的反应D、氨的脱附
考题
氨合成反应表面动力学过程的控制步骤是()
A、氮气的活性吸附B、氢气的活性吸附C、生成氨的表面反应D、氨的表面解吸
考题
（）在铁催化剂表面上的活性吸附是氨合成过程的控制步骤。A、氢B、氮C、氨
考题
氨合成反应的控制步骤是（）。A、氮气的外扩散B、氮气的内扩散C、氮气的活性吸附D、氨的外扩散
考题
多相催化反应历程中，下列过程中属于物理过程的是（）A、外扩散B、脱附C、表面反应D、化学吸附
考题
对于大多数结晶物系，晶体成长的控制步骤为（）。A、扩散过程B、表面反应过程C、传热过程D、3个过程共同控制
考题
工业生产的合成氨操作条件下，氨合成速度受（）。A、外扩散控制B、化学动力学控制C、内扩散控制D、内、外扩散控制
考题
固体表面发生化学吸附的原因是什么？表面反应与化学吸附的关系是什么？
考题
多相催化反应过程中，不作为控制步骤的是（）。A、外扩散过程B、内扩散过程C、表面反应过程D、吸附过程
考题
氨合成反应的控制步骤是（）。A、内扩散B、外扩散C、表面反应过程D、氮在催化剂表面的活性吸附
考题
合成反应是一多项催化过程，这个过程按下列（）过程进行。A、扩散—吸附—表面反应—解吸—扩散B、扩散—表面反应—吸附—解吸——散C、扩散—吸附—反应—扩散
考题
非均相催化反应过程中起化学反应的步骤是（）A、表面反应B、吸附C、脱附D、内扩散
考题
矿物内部结构缺陷与错位往往能增加矿物的（），从而应用在水污染处理中。A、表面积B、微形貌C、表面反应活性D、以上都不是
考题
气固相催化反应主要包括（）等过程。A、表面反应B、内扩散C、预混合D、外扩散
考题
外部传质过程影响导致催化剂颗粒外表面反应物浓度下降，产物浓度上升。
考题
对于一个气固相催化反应过程，下列属于动力学因素的是（）A、气膜扩散； B、孔内扩散； C、反应物的吸附和产物的脱附； D、表面反应
考题
单选题矿物内部结构缺陷与错位往往能增加矿物的（），从而应用在水污染处理中。A
表面积B
微形貌C
表面反应活性D
以上都不是
考题
单选题氨合成反应表面动力学过程的控制步骤是（）A
氮气的活性吸附B
氢气的活性吸附C
生成氨的表面反应D
氨的表面解吸
考题
判断题在LPCVD中，由于hGkS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是质量转移控制A
对B
错
考题
判断题在LPCVD中，由于hGkS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制A
对B
错
考题
单选题对于大多数结晶物系，晶体成长的控制步骤为（）。A
扩散过程B
表面反应过程C
传热过程D
3个过程共同控制
考题
判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A
对B
错
考题
单选题在低温结晶时，晶体成长速率主要受（）控制。A
扩散过程B
表面反应过程C
传热过程D
三者共同
考题
填空题按照碳燃烧的异相反应理论，当反应温度低于（）℃时，碳粒表面反应的关键控制步骤是络合物离解反应。