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填空题
核磁共振的化学位移是由于（）而造成的；化学位移值是以（）为相对标准制定出来的。
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考题
简单香豆素母核上的1H-NMR特征有A:H-3的化学位移值为6.1～6.4B:H-4的化学位移值为7.5～8.3C:H-3的化学位移值为7.0～7.5D:H-4的化学位移值为6.5～7.0E:H-3和H-4的偶合常数(J)约为9Hz
考题
在核磁共振波谱中，如果一组1H受到核外电子的屏蔽效应较小，则它的共振吸收将出现在下列的哪种位置？（）A、扫场下的高场和扫频下的高频，较小的化学位移值（δ）B、扫场下的高场和扫频下的低频，较小的化学位移值（δ）C、扫场下的低场和扫频下的高频，较大的化学位移值（δ）D、扫场下的低场和扫频下的低频，较大的化学位移值（δ）
考题
在核磁共振波谱分析中，当质子核外的电子云密度增加时（）A、屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在高场出现B、屏蔽效应减弱，化学位移值大，峰在高场出现C、屏蔽效应增强，化学位移值小，峰在高场出现D、屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在低场出现
考题
下面有关化学位移描述正确的是（）。A、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值小B、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值大C、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值小D、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值大
考题
单选题在核磁共振波谱分析中，当质子核外的电子云密度增加时（）A
屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在高场出现B
屏蔽效应减弱，化学位移值大，峰在高场出现C
屏蔽效应增强，化学位移值小，峰在高场出现D
屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在低场出现
考题
单选题关于化学位移，错误的是（ ）。A
化学位移可以引起局部磁场的改变B
化学位移是磁共振波谱的基础C
化学位移饱和成像可用来突出或抑制某种组织的信号D
化学位移特性可消除化学位移伪影E
利用不同分子之间的化学位移，可以生成不同类型的图像
考题
单选题下面有关化学位移描述正确的是（）。A
质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值小B
质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值大C
质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值小D
质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值大
考题
单选题关于化学位移成像的叙述，错误的是（ ）。A
化学位移与磁场强度无关B
MRS的成像基础是化学位移C
可利用化学位移来实现抑制脂肪成像D
可利用化学位移来实现抑制水成像E
化学位移会导致化学位移伪影
考题
单选题在相同的化学环境变化下，俄歇峰化学位移与光电子峰化学位移值关系是（）A
俄歇位移光电子位移B
俄歇位移光电子位移C
俄歇位移=光电子位移D
无规律可循
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