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填空题
晶体的热缺陷有（）两类，热缺陷浓度与温度的关系式为（）

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考题 杂质半导体中的多数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷
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考题 根据《国家电网公司变电检测通用管理规定》第1分册红外热像检测细则附录D的规定，电气设备与金属部件的连接热点温度＞80℃或δ≥80%，判定缺陷类型为()。一般缺陷$; $严重缺陷$; $危急缺陷$; $正常
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考题 某变电站进行红外热像检测，测量某电容器熔丝发热温度为100摄氏度，不考虑相对温差的情况下，其缺陷应报（）一般缺陷$;$严重缺陷$;$重大缺陷$;$危急缺陷
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考题 《红外热像检测细则》中规定，以下电流致热型缺陷，严重缺陷标准为热点温度大于55℃或δ≥80 %的有（ ）。(A)断路器 (B)电流互感器 (C)套管 (D)电容器
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考题 《红外热像检测细则》中规定，以下电流致热型缺陷，严重缺陷标准为热点温度大于55℃或δ大于或等于80%的有（）。(A)断路器 (B)电流互感器 (C)套管 (D)电容器
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考题 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
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考题 线热点温度大于80℃属（）A、重大缺陷B、一般缺陷C、紧急缺陷D、热隐患
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考题 如下说法哪个是正确的（）A、形成点缺陷所引起的熵的变化使晶体能量增加B、晶体总是倾向于降低点缺陷的浓度C、当点缺陷浓度达到平衡值时，晶体自由能最低
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考题 晶体缺陷与铸锭缺陷有何不同？
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考题 晶体的热缺陷有（）两类，热缺陷浓度与温度的关系式为（）
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考题 什么叫晶体的热缺陷？有几种类型？写出其浓度表达式，晶体中离子电导分为哪几类？
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考题 简述温度、固溶体类型、晶体结构、晶体学各向异性、浓度、晶体缺陷、第三元对扩散系数的影响及其原因。
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子
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考题 外围护结构热工缺陷检测时，若热像图存在异常部位，应当将实测热像图与受检部分的预期温度分布进行比较。
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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考题 下列不属于建筑物围护结构热工缺陷检测范围的是（）。A、外表面热工缺陷B、内表面热桥热工缺陷C、内表面热工缺陷D、屋面热工缺陷
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺
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考题 填空题MgO晶体在25℃时热缺陷浓度为（）。（肖特基缺陷生成能为6ev，1ev=1.6×10-15J，k=1.38×10-23J/K）
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考题 填空题晶体结构中的热缺陷有（）和（）二类。
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考题 单选题下列不属于建筑物围护结构热工缺陷检测范围的是（）。A 外表面热工缺陷B 内表面热桥热工缺陷C 内表面热工缺陷D 屋面热工缺陷
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考题 单选题当晶体的温度高于绝对0K时，由于晶体内原子热震动，使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成的缺陷称为（）A 杂质缺陷B 热缺陷C 点缺陷D 面缺陷
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考题 单选题按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（）。A 热缺陷B 杂质缺陷C 非化学计量缺陷D A+B+C
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考题 单选题晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而（）。A 增加B 不变C 降低
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考题 问答题晶体的缺陷中，两类典型的缺陷是什么？各自有什么特点？
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考题 单选题晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（）。A 线性增加B 呈指数规律增加C 无规律D 线性减少
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考题 问答题晶体中热缺陷的种类，并简述之。
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考题 问答题晶体的缺陷浓度为何随温度升高而加大？
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