杂质半导体中的多数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

题目内容（请给出正确答案）

杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()

A、掺杂浓度

B、工艺

C、温度

D、晶体缺陷

参考答案

考题杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压

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考题在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度

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考题在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于。A．I型半导体B．杂质浓度C．杂质类型D．温度

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考题在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于。A．杂质浓度B．温度C．本征半导体D．掺杂工艺

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考题在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于温度。

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考题 3、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于温度。

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考题在杂质半导体中，多数载流子的数量取决于掺杂浓度。

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考题 8、在杂质半导体中，多数载流子的数量取决于掺杂浓度。

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考题 26、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。

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